Исследованы температурные зависимости фотопроводимости, параметр Урбаха, оптические модуляционные спектры и рамановские спектры с целью выяснения причины повышения фоточувствительности пленок a-Si : H. Показано, что эти пленки сочетают низкую плотность дефектов с существованием глубоких дырочных ловушек. Эти факторы приводят к возрастанию величины sigmaph при T=300 K по сравнению с sigmaph "стандартного" a-Si : H при Delta E=const.
О.А. Голикова, М.М. Казанин. ФТП, 32 (в печати) (1998)
P. Roca i Cabarrocas, S. Hamma, P. St'ahel, C. Longeaud, J.P. Kleider, R. Meaudre, M. Meaudre. Proc. EPSEC-14 (Barselona, July 1997) P. 5A20
Dersch, L. Schweitzer, J. Stuke. Phys. Rev. B, 28, 4678 (1983)
А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1966)
О.А. Голикова, В.Х. Кудоярова. ФТП, 29, 1128 (1995)
G.J. Adriaenssens, О.А. Голикова, W. Grevendonk. ФТП, 32, 123 (1998)
T. Okada, T. Twaki, K. Yamomoto, H. Kashara, K. Abe. Sol. St. Commun., 49, 809 (1984)
M. Azuma, T. Yukoi, I. Shimizu. Abstracts of ICAS-16 (Kobe, Sept. 1995) Mo-B03-2
J. Stuke. J. Non-Cryst. Sol., 97/98, 1 (1987)
D. Ruff, H. Mell, L. Tolf, G. Huhn, I. Silber, W. Fuhs. Abstracts ICAMS-17 (Budapest, Aug, 1997) ThP113/4
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.