"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности электронных свойств и структуры пленок a-Si : H с повышенной фоточувствительностью
Голикова О.А.1, Казанин М.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 августа 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Исследованы температурные зависимости фотопроводимости, параметр Урбаха, оптические модуляционные спектры и рамановские спектры с целью выяснения причины повышения фоточувствительности пленок a-Si : H. Показано, что эти пленки сочетают низкую плотность дефектов с существованием глубоких дырочных ловушек. Эти факторы приводят к возрастанию величины sigmaph при T=300 K по сравнению с sigmaph "стандартного" a-Si : H при Delta E=const.
  • О.А. Голикова, М.М. Казанин. ФТП, 32 (в печати) (1998)
  • P. Roca i Cabarrocas, S. Hamma, P. St'ahel, C. Longeaud, J.P. Kleider, R. Meaudre, M. Meaudre. Proc. EPSEC-14 (Barselona, July 1997) P. 5A20
  • Dersch, L. Schweitzer, J. Stuke. Phys. Rev. B, 28, 4678 (1983)
  • А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1966)
  • О.А. Голикова, В.Х. Кудоярова. ФТП, 29, 1128 (1995)
  • G.J. Adriaenssens, О.А. Голикова, W. Grevendonk. ФТП, 32, 123 (1998)
  • T. Okada, T. Twaki, K. Yamomoto, H. Kashara, K. Abe. Sol. St. Commun., 49, 809 (1984)
  • M. Azuma, T. Yukoi, I. Shimizu. Abstracts of ICAS-16 (Kobe, Sept. 1995) Mo-B03-2
  • J. Stuke. J. Non-Cryst. Sol., 97/98, 1 (1987)
  • D. Ruff, H. Mell, L. Tolf, G. Huhn, I. Silber, W. Fuhs. Abstracts ICAMS-17 (Budapest, Aug, 1997) ThP113/4
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.