Исследованы пленки нелегированного a-Si : H, подвергнутые имплантации ионами кремния (дозы 10¹²-10¹⁴ см^-2, средняя энергия varepsilon=60 кэВ) при комнатной температуре. Установлены следующие результаты взаимодействия пленок с ионными пучками: образование дефектов (оборванных Si-Si-связей) в нейтральном состоянии (D⁰), изменение зарядового состояния D⁰-> D^-, переход a-Si : H-> a-Si, рост негомогенности структуры. Показано, как они зависят от исходных структурных и электронных характеристик пленок.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.