Показано, что в тонкопленочных фотопреобразователях на основе поликристаллического CdTe под действием излучения происходит изменение хемсорбционного равновесия на границах кристаллитов, что приводит к возникновению фотопамяти в результате изменения поверхностного потенциала и соответственно скорости поверхностной рекомбинации. Этот эффект может явиться причиной нестабильности параметров поликристаллических солнечных элементов и приводить как к ухудшению, так и к улучшению эффективности фотопреобразования. Рассмотрена экспериментальная методика, которая позволяет определять тип доминирующих поверхностных состояний на границах кристаллитов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.