Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Зависимость свойств кристаллов Cd_1-xZn_xTe от типа собственных точечных дефектов и форм присутствия кислорода

Морозова Н.К.¹, Каретников И.А.¹, Блинов В.В.¹, Комарь В.К.¹, Галстян В.Г.¹, Зимогорский В.С.¹

¹Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия

Поступила в редакцию: 25 сентября 1998 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Комплексное исследование спектров катодолюминесценции, микроструктуры и микросостава, удельного сопротивления и присутствия кислорода позволило выявить зависимость электрических свойств и степени совершенства кристаллической решетки Cd_1-xZn_xTe от формы присутствия кислорода и типа собственных точечных дефектов. Обнаружено, что в зависимости от соотношения концентраций [Cd]m/[Zn] в кристаллах изменяется тип точечных дефектов и форма присутствия основной фоновой примеси - кислорода. Определен оптимальный состав твердого раствора для создания датчиков ионизирующего излучения, при котором кристалл наиболее высокоомен: Cd_0.77Zn_0.23Te.

R. Sudharsanan, K.B. Parnharm, N.H. Karam. Proc. Conf. "Laser Focus World" (June, 1996) p. 199
J.F. Butler, F.P. Doty, B. Apotovsky. Mater. Sci. Eng. (B), 16, 291 (1993)
V.K. Komar, H. Hermon, M.S. Goorsky et al. Semiconductors for Room Temperature Radiation Detector applications II, ed. by R.B. James (Pittsburgh, PA, 1998). [Mater. Res. Soc., 487 (1998)]
Н.К. Морозова, Л.Д. Назарова, И.А. Каретников. ФТП, 29, 1678 (1995)
Практическая растровая электронная микроскопия, под ред. В.И. Петрова (М., Мир, 1978)
В.С. Зимогорский, Н.А. Караванов, Н.К. Морозова и др. Новости ИАИ, 66, 22 (1989)
K.Y. Lay, N.C. Giles-Taylor, J.F. Schetzina, K.J. Bachmann. J. Electrochem. Soc., 133, 1049 (1986)
F.P. Doty, J.F. Butler, J.F. Schetzina, K.A. Bowers. J. Vac. Sci. Technol. (B), 10, 1418 (1992)
E. Rzepka, A. Lusson, A. Riviere. J. Cryst. Growth, 161, 286 (1996)
Ж.Р. Паносян. Тр. ФИАН СССР, 68, 147 (1973)
Л.Д. Назарова. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 1995)
Н.К. Морозова, И.А. Каретников, В.В. Блинов, Д.П. Наливайко. Матер. докл. Межд. науч.-техн. сем. (М., МЭИ, 1998) с. 238
Н.К. Морозова, И.А. Каретников. ЖПС, 65, 394 (1998)
Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов и др. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства (М., Наука, 1987)
Н.К. Морозова, В.С. Зимогорский, А.В. Морозов. Неорг. матер., 29, 1014 (1993)
Н.К. Морозова, И.А. Каретников, Е.М. Гаврищук и др. Неорг. матер., 35, вып. 4 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель