"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Множественное андреевское отражение в гибридных структурах на основе сверхпроводящего нитрида ниобия и гетероперехода AlGaAs/GaAs
Веревкин А.А.1, Птицина Н.Г.1, Смирнов К.В.1, Воронов Б.М.1, Гольцман Г.Н.1, Гершензон Е.М.1, Ингвессон К.С.2
1Московский Педагогический Государственный Университет, Москва, Россия
2Массачусетский университет, МА Амерст, США
Поступила в редакцию: 12 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Исследована проводимость гибридных микроструктур со сверхпроводниковыми контактами из нитрида ниобия к полупроводнику с двумерным электронным газом в гетеропереходе AlGaAs/GaAs. Особенности поведения проводимости указывают на наличие процессов многократного андреевского отражения на рассеивающих центрах в нормальной области вблизи границы сверхпроводник--полупроводник.
  • T.M. Klapwijk. Physica B, 197, 481 (1994)
  • A. Kastalsky, A.W. Kleinsasser, L.H. Greene, R. Bhat, F.P. Milliken, J.P. Harbison. Phys. Rev. Lett., 67, 3026 (1991); C. Nguyen, H. Kroemer, E.L. Hu. Phys. Rev. Lett., 69, 2847 (1992); H. Takayanagi, T. Akazaki, J. Nitta. Phys. Rev. Lett., 75, 3533 (1995); L.C. Mur, C.J.P.M. Harmans, J.E. Mooij, J.F. Carlin, A. Rudra, M. Ilegems. Phys. Rev. B, 54, R2327 (1996)
  • A.M. Marsh, D.A. Williams, H. Ahmed. Phys. Rev. B, 50, 8118 (1994)
  • A.M. Marsh, D.A. Williams, H. Ahmed. Physica B, 203, 307 (1994)
  • J.R. Gao, J.P. Heida, B.J. van Wees, T.M. Klapwijk, G. Borghs, C.T. Foxon. Surf. Sci., 305, 470 (1994)
  • J. Kutchinsky, R. Taboryski, T. Clausen, C.B. Sorensen, A. Kristensen, P.E. Lindelof, J. Bindslev Hansen, C. Schelde Jacobsen, J.L. Skov. Phys. Rev. Lett., 78, 931 (1997); R. Taboryski, T. Clausen, J. Bindslev Hansen, J.L. Skov, J. Kutchinsky, C.B. Sorensen, P.E. Lindelof. Appl. Phys. Lett., 69, 657 (1996)
  • K.-M.H. Lenssen, M. Matters, C.J.P.M. Harmans, J.E. Mooij, M.R. Leys, W. van Vleuten, J.H. Wolter. Appl. Phys. Lett., 63, 2079 (1993).!! vadjust !!
  • Y. Sugiyama, M. Tacano, S. Sakai, S. Kataoka. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-1, 236 (1980); В.И. Барчукова, В.Н. Губанков, Е.Н. Енюшкина, С.А. Ковтонюк, И.Л. Лапитская, М.П. Лисицкий, А.Д. Максимов, В.Г. Мокеров, А.В. Никифоров, С.С. Шмелев. Письма ЖТФ, 21(6), 12 (1995)
  • A.A. Verevkin, N.G. Ptitsina, K.V. Smirnov, G.N. Gol'tsman, E.M. Gershenzon, K.S. Yngvesson. International Semiconductor Device Research Symposium-1997 (Charlottesvill VA, USA, 1997) p. 163
  • Б.М. Воронов, Е.М. Гершензон, Г.Н. Гольцман, Т.О. Губкина, В.Д. Семаш, Л.А. Сейдман. СФХТ, 7, 1097 (1994)
  • А.Ф. Андреев. ЖЭТФ, 19, 1228 (1964)
  • B.J. van Wees, P. de Vries, P. Magnee, T.M. Klapwijk. Phys. Rev. Lett., 69, 510 (1992)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.