Фотоионизация короткодействующих акцепторных состояний в одноосно деформированных полупроводниках
Абрамов А.А.1, Васько Ф.Т.2, Тулупенко В.Н.1, Фирсов Д.А.3
1Донбасская государственная машиностроительная академия, Краматорск, Украина
2Институт физики полупроводников, Киев, Украина
3Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.
Проведен расчет сечения фотоионизации (коэффициента поглощения) дырок, локализованных на глубоких центрах с короткодействующим потенциалом, при их переходах в валентную зону одноосно-деформированного полупроводника типа Ge. За счет расщепления акцепторного уровня и экстремума дырочных подзон порог фотоионизации также расщепляется - возникают четыре типа таких переходов. С ростом температуры происходит изменение населенности расщепленных примесных состояний и вкладов каждого из типов переходов в коэффициент поглощения. Поскольку деформация нарушает сферическую симметрию задачи, появляется также заметная поляризационная зависимость коэффициента поглощения. Расчет базируется на общей квантово-механической формуле с матричным элементом перехода, использующим волновую функцию примесного центра при деформации.
- И.В. Алтухов, М.С. Каган, В.П. Синис. Письма ЖЭТФ, 47, 133 (1988)
- Матер. Всеросс. совещ. " Наноструктуры на основе кремния и германия" (Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН, 1998)
- G. Lucovsky. Sol. St. Commun., 3, 299 (1965)
- Н.М. Колчанова, И.Д. Логинова, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 6, 1650 (1983)
- M.V. Strikha, F.T. Vasko. Phys. St. Sol. (b), 181, 447 (1994)
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
- F.H. Pollak. Semicond. Semimet., 32, 17 (1990)
- E.V. Bakhanova, F.T. Vasko. Phys. St. Sol. (b), 182, 97 (1994)
- В.Ф. Мастеров. ФТП, 18, 3 (1984)
- Е.В. Баханова, Ф.Т. Васько. ФТТ, 32, 86 (1990)
- М.А. Одноблюдов, А.А. Пахомов, В.М. Чистяков, И.Н. Яссиевич. ФТП, 31, 1180 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук