Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Коэффициент усиления и внутренние потери в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 30 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.
Исследованы внутренние потери и усиление в лазерах, излучающих в спектральной области 3/ 4 мкм, на основе ДГС InGaAsSb/InAsSbP. Из токовых зависимостей интенсивности спонтанного излучения за порогом генерации и дифференциальной квантовой эффективности определен коэффициент внутризонного поглощения k0~ 5.6· 10-16 см2. Из зависимости плотности порогового тока от обратной длины резонатора определены внутренние потери в отсутствие инжекции alpha0~ 5 см-1. Проведен расчет внутренних потерь на пороге генерации, показавший их увеличение более чем в 4 раза при уменьшении длины резонатора от 500 до 100 мкм. Приведены температурные зависимости дифференциальной квантовой эффективности, которые объяснены наличием внутризонного поглощения дырками с их переходом в спин-орбитально отщепленную зону. Показано, что в лазерах с короткими резонаторами максимальная рабочая температура определяется не оже-рекомбинацией, а внутризонным поглощением. Получены спектры усиления, которым соответствует практически линейная зависимость внутренних потерь от тока, а также токовая зависимость разделения квазиуровней Ферми, показавшая отсутствие насыщения напряжения на p-n-переходе за порогом генерации.
- R.U. Martinelli. Laser Focus World, 77 (1996)
- C.H.L. Goodman. Sol. St. Electron. Dev., 12(5), 129 (1978)
- Н.А. Гунько, Г.Г. Зегря, Н.В. Зотова, З.Н. Соколова, Н.М. Стусь, В.Б. Халфин. ФТП, 31, 1396 (1997)
- W.W. Bewley, C.L. Felix, I. Vurgaftman, J.R. Meyer, C.-H. Lin, S.J. Murry, D. Zhang, S.S. Pei, L.R. Ram-Moham. J. Appl. Phys., 83(5). 2384 (1998)
- М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Письма ЖТФ, 24(12), 40 (1998)
- М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 33(2), 233 (1999)
- C.H. Henry, R.A. Logan, F.R. Merritt. J. Appl. Phys., 51(6), 3042 (1980)
- В.П. Грибковский. Полупроводниковые лазеры (Минск, Изд-во Минск. ун-та, 1988)
- B.W. Hakki, T.L. Paoli. J. Appl. Phys., 44(9), 4113 (1973)
- М. Айдаралиев. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 1991)
- J. Dixon, J. Ellis. Phys. Rev., 123, 1560 (1961)
- I. Joindot, J.L. Beylat. Electron. Lett., 29(7), 604 (1993)
- Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1
- Т.С. Аргунова, Р.Н. Кютт, Б.А. Матвеев, С.С. Рувимов, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТТ, 36, 3071 (1994)
- А.А. Попов, В.А. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 32, 1139 (1998)
- B.W. Hakki, T.L. Paoli. J. Appl. Phys., 46, 1299 (1973)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
