Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эпитаксиальные слои ZnTe и квантовые ямы CdZnTe/ZnTe, выращенные молекулярно-пучковой эпитаксией на подложках GaAs (100) c использованием твердофазной кристаллизации затравочного аморфного слоя ZnTe

Козловский В.И.¹, Крыса А.Б.¹, Садофьев Ю.Г.¹, Турьянский А.Г.¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 8 декабря 1998 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Напыление аморфного затравочного слоя ZnTe толщиной 10 нм с его последующей твердофазной кристаллизацией было использовано перед началом молекулярно-пучковой эпитаксии слоев ZnTe на подложках GaAs (100). Картины дифракции отраженных быстрых электронов от ростовой поверхности образцов во время эпитаксии подтверждают, что при этом удалось избежать образования трехмерных зародышей и достигнуть двухмерного роста на ранней стадии эпитаксии. Проведенные исследования катодолюминесценции и рентгено-структурный анализ свидетельствуют о более высоком качестве слоев ZnTe, выращенных с применением аморфного затравочного слоя. Исследовано влияние соотношения потоков исходных элементов на катодолюминесценцию слоев ZnTe. Оптимизация режимов эпитаксии позволила вырастить квантово-размерные структуры ZnCdTe/ZnTe, эффективно излучающие в зеленой области спектра.

С.М. Пинтус, С.И. Стенин, А.И. Торопов, Е.М. Труханов. Препринт 5-86 (Новосибирск, ИФП СО АН СССР, НГУ, 1986)
Ю.Б. Болховитянов, Ю.Д. Ваулин, А.К. Гутаковский, С.И. Пенин, В.И. Юдаев. Изв. Ан СССР. Сер. физ., 44, 1238 (1980)
F. Kitagava, T. Mishima, K. Takahashi. J. Electrochem. Soc., 127, 937 (1980)
J.P. Faurie, J. Reno, S. Sivananthan, I.K. Sou, X. Chu, M. Boukerche, P.S. Wijewarnasuriya. J. Vac. Sci. Technol. B4, 585 (1986)
Y. Hishida, H. Ishii, T. Toda, T. Niina. J. Cryst. Growth, 95, 517 (1989)
T. Karasawa, K. Ohkava, T. Mitsuyu. J. Cryst. Growth, 95, 547 (1989)
T. Karasawa, K. Ohkava, T. Mitsuyu. Appl. Phys. Lett., 54, 117 (1989)
S. Nishi, H. Inomata, M. Akiyama, K. Kaminishi. Jap. J. Appl. Phys., 24, 391 (1985)
Y. Fukuda, Y. Kohama. J. Cryst. Growth, 81, 451 (1986)
H. Morcoc, S. Strite, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys., 76, 1363 (1994)
J.N. Kuznia, M. Asif Khan, D.T. Olson, R. Kaplan, J. Freitas. J. Appl. Phys., 73, 4700 (1993)
S. Nakamura. Jap. J. Appl. Phys., 30, L1705 (1991)
G. Kudlek, J. Gutowski. J. Luminesc., 52, 55 (1992)
В.И. Козловский, А.Б. Крыса. ФТТ, 35, 3087 (1993)
Y. Biao, M. Azoulay, M.A. Georg, A. Burger, W.E. Collins, E. Siberman, C.-H. Su, M.E. Volz, F.R. Szofran, D.C. Gilles. J. Cryst. Growth, 138, 219 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель