Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности формирования и термическая стабильность контактов, образованных боридами и нитридами титана с арсенидом галлия

Венгер Е.Ф.¹, Миленин В.В.¹, Ермолович И.Б.¹, Конакова Р.В.¹, Иванов В.Н.¹, Войциховский Д.И.¹

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 11 января 1999 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы механизмы формирования и термическая стабильность контактов, изготавливаемых ионно-плазменным напылением боридов и нитридов титана на арсенид галлия, при использовании комплекса структурных, вторично-эмиссионных, фотолюминесцентных и электрофизических методов. На основании полученных данных предложена физическая модель, согласно которой на межфазной границе в процессе осаждения происходит формирование твердых растворов B_xGa_1-xAs и GaN_xAs_1-x. Показано, что взаимосвязь между физико-химическими взаимодействиями на межфазных границах контактов и их электрофизическими параметрами обусловлена дефектами в приконтактных слоях полупроводника, которые возникают в процессе формирования гетероструктур и последующих обработок. Установлено, что высокая термическая стабильность исследованных объектов обусловлена их двухслойной структурой, что приводит к резкому ослаблению процессов взаимодиффузии на межфазной границе.

T.N. Morgan, M. Pilkuhn, H. Rupprecht. Phys. Rev., 138, 1551 (1965)
Н.С. Аверкиев, Т.К. Аширов, А.А. Гуткин. ФТП, 15, 1970 (1981)
E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 922 (1968)
C.E. McCants, T. Kindelevicz, P.H. Mahovald, K.A. Bertness, M.D. Williams, N. Newman, S. Lindau, W.E. Spicer. J. Vac. Sci. Technol. A, 6 (3), 1466 (1988)
J. Broser, H. Majer, H.-J. Schulz. Phys. Rev., 140, 2135 (1965)
E. Grilli, M. Guzzi, R. Zamboni, L. Pavesi. Phys. Rev. B, 45, 1638 (1992)
Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982) с. 91. [Пер. с англ.: E.H. Rhoderick. Metal--Semiconductor Contacts (Oxford, Clarendon Press, 1978)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель