Емкостными методами проведено исследование диодов Шоттки, сформированных на основе эпитаксиальных слоев n-6H-SiC, выращенных методом газофазoвой эпитаксии. Обнаружено, что величина потенциального барьера и ее зависимость от величины работы выхода металла сильно зависит от используемого метода обработки поверхности полупроводника.
A.L. Syrkin, A.N. Andreev, A.A. Lebedev, M.G. Rastegaeva, V.E. Chelnokov. Mater. Sci. Eng. B, 29, 198 (1995)
A.M. Stelchuk, M.G. Rastegaeva. Mater. Sci. Eng. B, 46, 379 (1997)
M. Frischholz, K. Rottner, A. Schoner, T. Dalibor, G. Pensl. Diamond and Rel. Mater., 6, 1396 (1997)
А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, К.И. Игнатьев. ФТИ, 30, 1865 (1995)
А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов. ФТП, 31, 1049 (1997)
J.W. Palmor, J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter, Jr. Physica B, 185, 461 (1993)
V.V. Zelenin, A.A. Lebedev, S.M. Starobinets, V.E. Chelnokov. Mater. Sci. Eng. B, 46, 300 (1997)
А.А. Лебедев, М.П. Щеглов, Т.В. Соколова. Письма ЖТФ, 21 (16), 48 (1995)
A.A. Lebedev, M.P. Tregubova, A.A. Glagovskii, M.P. Scheglov, V.E. Chelnokov. Abstracts E-MRS Conf. (Strasburg, France, 1996, p. A-15)
Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser. 137, Chapter 3 (1994) p. 197
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.