Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Импульсный пробой пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников в присутствии магнитного поля
1Московский энергетический институт, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 23 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.
Наложение внешнего магнитного поля при пробое пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников позволило осуществить пространственно-временную развертку процесса эволюции токового канала и разделить вклады электронных и тепловых эффектов. Быстрое перемещение вдоль образца токового канала приводит к его охлаждению, что значительно снижает его разогрев джоулевым теплом и позволяет поднять мощность. Показано, что пробой имеет стримерно-лидерный механизм.
- Б.Т. Кoломиец, Э.А. Лебедев. Радиотехника и электроника, 8, 2097 (1963); Б.Т. Кoлoмиец, Э.А. Лебедев, И.А. Таксами, К.Д. Цэндин. ФТП, 17, 119 (1983)
- S.R. Ovshinsky. Patent USA, cl. 307-885, N 3281591 (1963); D. Adler, M.S. Shur, M.N. Silver, S.R. Ovshinsky. J. Appl. Phys., 51, 3289 (1980)
- С.А. Костылев, В.А. Шкут. Электронное переключение в аморфных полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1978)
- Г.И. Боровов, Э.Н. Воронков. ФТП, 10, 75 (1976)
- В.Я. Ушаков. Импульсный электрический пробой жидкостей (Томск, Изд-во Том. ун-та, 1966)
- M.I. Tompson, D. Pooladej, P.J. Walsh. J. Non-Cryst., 35/36, 1111 (1980)
- A.M. Minarsky, P.B. Rodin. Sol. St. Electron., 41, 813 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
