"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесценция квантовых точек InAs, выращенных на разориентированных подложках GaAs
Астахов Г.В.1, Кочерешко В.П.1, Васильев Д.Г.1, Евтихиев В.П.1, Токранов В.Е.1, Кудряшов И.В.1, Михайлов Г.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

Исследованы спектры фотолюминесценции во внешнем магнитном поле ансамбля квантовых точек InAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке (001) GaAs, разориентированной в направлении [010]. Наблюдалось перераспределение фотовозбужденных носителей между различными группами точек под действием магнитного поля. Из анализа полученных зависимостей определена концентрация квантовых точек.
  • L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
  • D. Leonard, K. Pond, P.M. Petroff. Phys. Rev. B, 50, 11 687 (1994)
  • В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, А.К. Крыжановский, А.М. Бойко, Р.А. Сурис, А.Н. Титков, А. Накамура, М. Ичида. ФТП, 32(7), 860 (1998)
  • Д.Г. Васильев, В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, И.В. Кудряшов, В.П. Кочерешко. ФТТ, 40(5), 855 (1998)
  • G.V. Astakhov, A.A. Kiselev, V.P. Kocheresko, M.M. Moiseeva, A.V. Platonov. Semicond. Sci. Technol., 13(14), (1999)
  • А.А. Киселев. ФТП, 32(5), 564 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.