"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Спонтанно формирующиеся периодические InGaAsP-структуры с модулированным составом
Вавилова Л.С.1, Капитонов В.А.1, Мурашова А.В.1, Пихтин Н.А.1, Тарасов И.С.1, Ипатова И.П.1, Щукин В.А.1, Берт Н.А.1, Ситникова А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

Теоретически и экспериментально установлено, что в определенных интервалах температур и составов твердые растворы InGaAsP представляют собой систему напряженных, чередующихся (во взаимно перпендикулярных направлениях [100] и [010]) доменов твердого раствора двух различных составов с разными постоянными решетки. Домены резко выражены у поверхности эпитаксиальной пленки и размываются в глубину к подложке. Полученные данные с большой вероятностью указывают на спинодальный распад твердых растворов InGaAsP в экспериментальных образцах.
  • G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 65, 454 (1983)
  • I.P. Ipatova, V.A. Shchukin, V.G. Malyshkin, A.Yu. Maslov, E. Anastassakis. Sol. St. Commun., 78, 19 (1991)
  • B. de Cremoux. J. Physique, 43, C5--19 (1982)
  • И.П. Ипатова, В.Г. Малышкин, А.Ю. Маслов, В.А. Щукин. ФТП, 27 (2), 285 (1993)
  • I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin. J. Appl. Phys., 74, 7198 (1993)
  • I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin. Phil. Mag., 70, 557 (1994)
  • Д. Бимберг, И.П. Ипатова, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, В.Г. Малышкин, В.А. Щукин. УФН, 167 (3), 552 (1997)
  • Seiji Mukai. J. Appl. Phys., 54(5), 2635 (1983)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.