Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Некоторые оптические свойства объемных кристаллов нитрида галлия, выращенных газофазным методом в хлоридной системе

Зубрилов А.С.¹, Мельник Ю.В.¹, Николаев А.Е.¹, Якобсон М.А.¹, Нельсон Д.К.¹, Дмитриев В.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 5 октября 1998 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы оптические свойства объемных кристаллов нитрида галлия, выращенных газофазным методом в хлоридной системе. Показано, что в полученных кристаллах проявляются экситонные полосы люминесценции. На основе анализа энергетического положения максимума полос сделан вывод об отсутствии механических напряжений в полученных объемных кристаллах GaN. Анализ спектров люминесценции также показал, что температурная зависимость ширины запрещенной зоны GaN E_g в диапазоне температур T=6/ 600 K хорошо описывается выражением E_g(T)=3.51-7.4·10^-4T²(T+600)^-1, эВ. Оценочное значение концентрации свободных электронов в полученных кристаллах составило не более 10¹⁸ см^-3. Приведен сравнительный анализ оптических характеристик полученных кристаллов объемных GaN и литературных данных по объемным кристаллам, а также эпитаксиальным слоям GaN, выращенным различными методами.

S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. Appl. Phys. Lett., 64, 13 (1994)
S. Nakamura, M. Senoh, S. Naganama, N. Iwasa, T. Yamaba, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto. Japan. J. Appl. Phys., 35(1B), L74 (1996)
S. Strite, H. Morkoc. J. Vac. Sci. Technol. B, 10(4), 1237 (1992)
S. Porowski. J. Cryst. Growth, 166, 583 (1996)
T. Detchprohm, K. Hiramatsu, A. Amano, I. Akasaki. Appl. Phys. Lett., 61, 2688 (1992)
Yu.V. Melnik, K.V. Vassilevski, I.P. Nikitina, A.I. Babanin, V.Yu. Davydov, V.A. Dmitriev. MRS Internet J.: Nitride Semicond. Res., 2, 39 (1997)
V.V. Belkov, V.M. Botnaryuk, L.M. Fedorov, I.I. Diakonu, V.V. Krivolapchyuk, M.P. Scheglov, Yu.V. Zhilyaev. Inst. Phys. Conf. Ser., 155, 191 (1997)
E.N. Mokhov, Y.A. Vodakov. Inst. Phys. Conf. Ser., 155, 177 (1997)
R.J. Molnar, P. Maki, R. Aggarwal, Z.L. Liau, E.R. Brown, I. Melngailis, W. Gotz, L.T. Romano, N.M. Johnson. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 423, 221 (1996)
В.А. Иванцов, В.А. Суховеев, В.И. Николаев, И.П. Никитина, В.А. Дмитриев. ФТТ, 39, 858 (1997)
Yu.V. Melnik, I.P. Nikitina, A.S. Zubrilov, A.A. Sitnikova, Yu.G. Musikhin, V.A. Dmitriev. Inst. Phys. Conf. Ser., 142, 863 (1996)
V.E. Sizov, K.V. Vassilevski. NATO ASI, ser. 3. High Technology, Wide Bandgap Electronic Materials, ed. by M.A. Prelas et al. (Kluwer Academic Publishers, 1995) 1, p. 427
Yu.V. Melnik, I.P. Nikitina, A.E. Nikolaev, D.V. Tsvetkov, A.A. Sitnikova, V.A. Dmitriev. Abstracts 1st Europ. Conf. on Silicon Carbide and Related Mater. (Heraklion, Greece, 1996) p. 79
B. Monemar, J.P. Bergman, I.A. Buyanova, W. Li, H. Amano, I. Akasaki. MRS Internet J.: Nitride Semicond. Res., 1, 2 (1996)
I.A. Buyanova, J.P. Bergman, B. Monemar. Appl. Phys. Lett., 69(9), 1 (1996)
А.С. Зубрилов, Ю.В. Мельник, Д.В. Цветков, В.Е. Бугров, А.Е. Николаев, С.И. Степанов, В.А. Дмитриев. ФТП, 31(5), 616 (1997)
W. Rieger, T. Metzger, H. Angerer, R. Dimitrov, O. Ambacher, M. Stutzmann. Appl. Phys. Lett., 68, 970 (1996)
Д.К. Нельсон, Ю.В. Мельник, А.В. Селькин, М.А. Якобсон, В.А. Дмитриев, К.Ж. Ирвин, К.Х. Картер мл. ФТТ, 38(3), 822 (1996)
B. Monemar, J.P. Bergman, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sawaki. Int Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes (Chiba Univ., Japan, 1996)
S. Chichibu, T. Azurata, T. Sota, S. Nakamura. J. Appl. Phys., 79(5), 2784 (1996)
M.A. Jacobson, V.D. Kagan, E.V. Kalinina, D.K. Nelson, A.V. Selkin, V.A. Dmitriev, K.G. Irvine, J.A. Edmond, C.H. Carter,Jr.. Proc. 23rd Int. Conf. Phys. Semicond. (Berlin, Germany, 1996) p. 569
A.S. Zubrilov, V.I. Nikolaev, D.V. Tsvetkov, V.A. Dmitriev, K.G. Irvine, J.A. Edmond, C.H. Carter,Jr.. Appl. Phys. Lett., 67, 521 (1995).!! vadjust !!
H. Teisseyere, P. Perlin, T. Suski, I. Grzegory, S. Porowski, J. Jun, A. Pietraszko, T.D. Moustakas. J. Appl. Phys., 76, 2429 (1994)
Y.P. Varshni. Physica, 34, 149 (1967)
E. Burstein. Phys. Rev., 93, 632 (1954)
P.P. Edwards, M.J. Sienko. Phys. Rev. B, 17, 2575 (1978)
M.F. MacMillan, R.P. Devaty, W.J. Choyke. Appl. Phys. Lett., 62, 750 (1993)
A.S. Barker, M. Ilegems. Phys. Rev. B, 7, 743 (1973)
C. Wetzel, D. Voim, B.K. Meyer, K. Pessel, S. Nilsson, E.N. Mokhov, P.G. Baranov. Appl. Phys. Lett., 65(8), 1033 (1994)
M. Ilegems, R. Dingle, R.A. Cogan. J. Appl. Phys., 43, 3797 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель