Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Получение и свойства барьеров Шоттки In/HgGa₂S₄

Рудь В.Ю.¹, Рудь Ю.В.², Ohmer M.C.³, Schunemann P.G.⁴

¹Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Wright Laboratory, Wright-Patterson AFB, Ohio, USA
⁴Lockheed Sanders, Nashua, New Hampshire, USA

Поступила в редакцию: 17 марта 1999 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Получены выпрямляющие фоточувствительные барьеры Шоттки In/HgGa₂S₄. Фоточувствительность лучших структур достигает 200 В/Вт и при освещении со стороны барьерного контакта наблюдается в спектральной области 0.8-3.8 эВ при T=300 K. Установлено и анализируется соответствие спектров фоточувствительности барьеров Шоттки и фотолюминесценции использованных при их создании кристаллов. Сделан вывод о возможностях применения барьеров Шоттки для контроля оптического качества монокристаллов HgGa₂S₄ в качестве широкополосных фотодетекторов.

N.A. Goryunova. Crystal and Chemistry of Diamond-Like Semiconductors (Chapman and Hall, London, 1965)
В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь. ФТП, 12, 209 (1978)
Н.А. Горюнова, А.А. Гринберг, С.М. Рывкин, И.М. Фишман, Г.П. Шпеньков, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 2, 1525 (1968)
G.C. Bhar. Jpn. J. Appl. Phys., 32, 653 (1993)
M.C. Ohmer, R. Pandey. MRS Bulletin, 23, 16 (1998)
B.F. Levine. Phys. Rev. B, 7, 2600 (1973)
H. Hahn, G. Frank, W. Klinger, Z. Anorg. Allgem. Chem., 279, 241 (1955)
J.A. Beun, R. Nitsche, M. Lichtensteiger. Physika, 26, 647 (1960)
С.А. Комаров, А.Н. Мелешко, А.Н. Плешанов, В.С. Соломатин. Письма в ЖТФ, 6(14), 870 (1980)
P.G. Schunemann, T.M. Pollak. MRS Bulletin, 23, 23 (1998)
J.J. Pankove. Optical Processes in Semiconductors (Prentice--Hall, New Jersey, 1971)
А.А. Абдурахимов, А.В. Лунев, Ю.В. Рудь, В.Е. Скорюкин, Ю.К. Ундалов. Изв. вузов СССР. Физика, N 7, 7 (1985)
Физико-технические свойства полупроводниковых веществ (М., Наука, 1978)
Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, 1921 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель