"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Определение плотности состояний в квантовых ямах и ансамблях квантовых точек вольт-фарадным методом
Алешкин В.Я.1, Бекин Н.А.1, Буянова М.Н.1, Звонков Б.Н.2, Мурель А.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 8 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

Изучена возможность нахождения из вольт-фарадной характеристики электронной плотности состояний в квантовых ямах и ансамблях квантовых точек в гетероструктурах, где важную роль играют флуктуации состава и геометрических размеров. Показано, что из измеренной вольт-фарадной характеристики невозможно восстановить точную плотность состояний, поскольку данная задача является некорректной с точки зрения математики. Предложен приближенный метод решения этой задачи, при использовании которого находится "приведенная" плотность состояний. Показано, что "приведенная" плотность состояний близка к настоящей, если характерный масштаб энергии, на котором последняя изменяется, много больше тепловой энергии kT. Предложенный метод применен для нахождения плотности состояний в зоне проводимости квантовой ямы гетероструктуры In0.22Ga0.78As / GaAs.
  • H. Kroemer, W.Y. Chen, J.S. Harris, D.D. Edwall. Appl. Phys. Lett., 36, 295 (1980)
  • X. Letartre, D. Stievenard, E. Barbier. J. Appl. Phys., 69, 7912 (1991)
  • В.Я. Алешкин, Е.В. Демидов, Б.Н. Звонков, А.В. Мурель, Ю.А. Романов. ФТП, 25, 1047 (1991)
  • P.N. Brounkov, S.G. Konnikov, T. Benyattou, G. Guillot. Phys. Low-Dim. Structur., 10/11, 197 (1995)
  • G. Medeiros-Rebeiro, D. Leonard, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 66, 1767 (1995)
  • M. Fricke, A. Lorke, J.P. Kotthaus, G. Medeiros-Ribeiro, P.M. Petroff. Europhys. Lett., 36, 197 (1996)
  • Д.Н. Бычковский, О.В. Константинов. ФТП, 28, 157 (1994)
  • E.H. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physic and Technology (John Wiley \& Sons, N. Y., 1982) ch. 8
  • А.Н. Тихонов, В.Я. Арсенин. Методы решения некорректных задач (М., Наука, 1986)
  • В.И. Фистуль. Сильно легированные полупроводники (М., Наука, 1967)
  • Ч. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
  • И.А. Авруцкий, О.П. Осауленко, В.Г. Плотниченко, Ю.Н. Пырков. ФТП, 26, 1907 (1992)
  • И.А. Карпович, В.Я. Алешкин, А.В. Аншон, Н.В. Байдусь, Л.М. Батукова, Б.Н. Звонков, С.М. Планкина. ФТП, 26, 1886 (1992)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.