Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Поведение примеси марганца в Hg₃In₂Te₆

Грушка О.Г.¹, Грушка З.М.¹, Фрасуняк В.М.¹, Герасименко В.С.¹

¹Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина

Поступила в редакцию: 10 марта 1999 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано поведение примеси марганца в соединении Hg₃In₂Te₆. В легированных кристаллах концентрация носителей заряда остается значительно меньше содержания примеси. Введение марганца в Hg₃In₂Te₆ не изменяет положения уровня Ферми, который расположен вблизи середины запрещенной зоны материала. Электропроводность остается собственной вплоть до температуры 150 K. Показано, что марганец в решетке Hg₃In₂Te₆ находится в зарядовом состоянии Mn²⁺ (3d⁵) и не приводит к появлению новых химических связей в матрице, при этом влияет на структуру ближнего порядка. При N_Mn<9.2· 10¹⁹ cm^-3 Hg₃In₂Te₆ обладает более высокими значениями подвижностей носителей заряда, чем в нелегированном материале.

G.G. Grushka, A.P. Bakhtinov, Z.M. Grushka. J. Advanced Mater., 4 (1), 36 (1997)
B.M. Кошкин, Л.В. Атрощенко. ФТП, 9, 3120 (1967)
И.А. Драпкин, Б.Я. Мойжес. ФТП, 15, 625 (1981)
Ф.С. Насрединов, В.И. Подхалюзин, И.П. Серегин, Х.У. Чирнер, Р. Ренч, Т. Борн. ФТП, 20, 1166 (1986)
Д.Б. Ананьина, В.Л. Бакуменко, А.К. Бонаков, Г.Г. Грушка, Л.Н. Курбатов. ФТП, 13, 961 (1979)
Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями, под ред. В.И. Фистуля (М., Металлургия, 1987)
Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., Радио и связь, 1990)
Д.Б. Ананьина, В.Л. Бакуменок, А.К. Бонаков, Г.Г. Грушка, В.Л. Хейфец. Неорг. матер., 16, 1534 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель