Исследование ультратонких слоев AlxGa1-xAs методом эллипсометрии
Сухорукова М.В.1, Скороходова И.А.1, Хвостиков В.П.2
1Санкт-Петербургский государственный институт точной механики и оптики (Технический универcитет), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический инстутит им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.
Предложена экспресс-методика контроля тонкослойных полупроводниковых структур методом эллипсометрии. Приведены результаты исследования распределения толщины и состава в слоях AlxGa1-xAs, выращенных методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии. Данные эллипсометрии сравниваются с данными, полученными с помощью спектров комбинационного рассеяния
- Р. Аззам, Н. Башара. Эллипсометрия и поляризованный свет (М., Мир, 1981)
- Г.Б. Порус, Г.Ф. Лымарь, Р.Р. Резвый. Электрон. техн., сер. 2 Полупроводниковые приборы, вып. 6(203), 27 (1989)
- В.М. Андреев, В.Р. Ларионов, А.М. Минтаиров, Т.А. Пруцких, В.Д. Румянцев, К.Е. Смекалин, В.П. Хвостиков. Письма ЖТФ, 16(9), 7 (1990)
- D.E. Aspnes, S.M. Kelso. J. Appl. Phys., 60, 754 (1986)
- H. Burkhard, H.W. Dinges, E. Kuphal. J. Appl. Phys., 53, 655 (1982)
- В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Кобуляк. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
- А.В. Ляшенко, Ф.И. Громов, Ю.Ф. Тарантов. Опт. и спектр., 53, 1035 (1982)
- Н.Л. Дмитрук, В.Н. Антонюк. Поверхность. Физика, химия, механика., вып. 12, 49 (1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук