Проведено исследование эпитаксиально-диффузионных 6H-SiC-диодов с наличием в базе высокоомной прослойки, сопротивление которой изменялось при включении диода в прямом направлении. Показано, что несмотря на отсутствие обычных признаков влияния последовательного сопротивления (независимость емкости от частоты и малая величина емкостной отсечки), емкостные измерения в таких структурах могут быть некорректны.
А.А. Лебедев, Н.А. Соболев. ФТП, 16, 1874 (1982)
Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. (Л., Наука, 1981)
О.В. Константинов, О.А. Мерзин. ФТП, 17, 305 (1983)
Ю.А. Гольдберг, О.В. Иванова, Т.В. Львова, Б.В. Царенков. ФТП, 17, 1068 (1983)
Е.В. Астрова, А.А. Лебедев, А.А. Лебедев. ФТП, 19, 1382 (1985)
S. Ortolland, C. Raynald, J.P. Chante, M.L. Locatelli, A.N. Andreev, A.A. Lebedev, M.G. Rastegaeva, A.L. Syrkin, N.S. Savkina, V.E. Chelnokov. J. Appl. Phys., 80, 546 (1996)
А.А. Лебедев, М.М. Аникин, М.Г. Растегаева, Н.С. Савкина, В.Е. Челноков. ФТП, 29, 1635 (1995)
М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов. ФТП, 19, 69 (1985)
W. Suttrop, G. Pensl, P. Laning. Appl. Phys., A, 51, 231 (1991)
М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.М. Стрельчук. ФТП, 24, 1384 (1990)
А.И. Вейнгер, Ю.А. Водаков, Ю. Кулев, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.И. Соколов. Письма ЖТФ, 6, 1319 (1980)
V.S. Balandovich, E.N. Mokhov. Transactions Second Intern. High Temperature Electronics Conference (Charlotte NC, USA, 1994) v. 2. p. 181