Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2000, выпуск 2 » Статья стр. 129
>>>
Модифицирование полупроводников пучками протонов О б з о р
Козловский В.В.1, Козлов В.А.2, Ломасов В.Н.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.
PDF версия
Выполнен анализ современных направлений модифицирования полупроводников пучками протонов: протонно-стимулированной диффузии, ионно-лучевого перемешивания и формирования пористых слоев. Показано, что анализируемый метод модифицирования (легирования) открывает новые возможности управления свойствами полупроводниковых материалов и создания приборов микро- и наноэлектроники на их основе по сравнению с традиционными методами легирования - диффузионным, эпитаксиальным, ионно-имплантационным.
  1. И.В. Васильева, Г.А. Ефремов, В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, В.С. Иванов. Радиационные процессы в технологии материалов и изделий электронной техники, под ред. В.С. Иванова, В.В. Козловского (М., Энергоатомиздат, 1997)
  2. В.С. Вавилов, Б.М. Горин, Н.С. Динилин, А.Е. Кив, Ю.Л. Нуров, В.И. Шаховцов. Радиационные методы в твердотельной электронике (М., Наука, 1990)
  3. Л.Ф. Захаренков, В.В. Козловский, Б.А. Шустров. ФТП, 26, 3 (1992)
  4. L.F. Zakharenkov, V.V. Kozlovski. In: Semiconductor Technology: Processing and Novel Fabrication Techniques, ed. by M. Levinshtein, M. Shur (N.--Y., John Wiley \& Sons, 1997) Chap. 2, p. 17
  5. Н.Б. Плешивцев, А.И. Бажин. Физика воздействия ионных пучков на материалы (М., Вузовская книга, 1998)
  6. J. Lindhard, M. Scharff, H. Schiett. Kgl. Danske vid selskab. mat. fys. medd., 33, 3 (1963)
  7. Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980)
  8. Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками, под ред. А.А. Углова (М., Машиностроение, 1987). [Пер. с англ.: Surface modification and alloying by laser, ion and electron beams, ed. by J.M. Poate, G. Foti and D.C. Jacobson (N.--Y., Plenum Press, 1983)]
  9. P. Baruch, C. Constantin, J.C. Pfister, R. Saintesprit. Disc. Far. Soc., 31, 86 (1961)
  10. G.J. Dienes, A.C. Damask. J. Appl. Phys., 29, 1713 (1958)
  11. P. Baruch. Inst. Phys. Conf. Ser., 31, 126 (1977)
  12. Y. Morikawa, K. Yamamoto, K. Nagami. Appl. Phys. Lett., 36, 997 (1980)
  13. Е.Д. Горнушкина, И.В. Кириллова, Р.Ш. Малкович. ФТТ, 24, 1088 (1982)
  14. Т.Д. Джафаров. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках (М., Энергоатомиздат, 1991)
  15. Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука. 1977)
  16. G.D. Watkins. In: Effects des rayonnements sur les semiconductors, ed. by P. Baruch (Paris, Dunod, 1964) p. 97
  17. V.V. Kozlovski, V.N. Lomasov, L.S. Vlasenko. Rad. Eff., 106, 37 (1988)
  18. Г.А. Качурин, В.И. Ободников, В.Я. Принц, И.Е. Тысченко. ФТП, 28, 519 (1994)
  19. Г.А. Качурин, Г.В. Гадияк, В.И. Шатров, И.Е. Тысченко. ФТА, 26, 1977 (1992)
  20. В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, Г.М. Гурьянов, А.П. Коварский. ФТП, 16, 2089 (1982)
  21. В.В. Козловский, В.Н. Ломасов. ЖТФ, 54, 1157 (1984)
  22. В.В. Козловский, В.Н. Ломасов. ФТП, 19, 143 (1985)
  23. В.В. Козловский, С.А. Мазуров, Б.Я. Бер, А.Л. Закгейм, Д.А. Зушинский, И.А. Козловская, И.В. Кочиев, Б.С. Явич. Письма ЖТФ, 19(23), 65 (1993)
  24. В.Н. Абросимова, В.В. Козловский, Н.Н. Коробков, В.Н. Ломасов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 26, 488 (1990)
  25. O.V. Alexandrov, V.V. Kozlovski, V.V. Popov, B.E. Samorukov. Phys. St. Sol. (a), 110, k61 (1988)
  26. M.A. Betuganov, M.U. Digilov, V.I. Kosticov, M.A. Kumakhov. Phys. St. Sol. (a), 59(2), 835 (1980)
  27. Ю.Н. Казаринов, В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, М.В. Питкевич. ФТП, 20, 1577 (1986)
  28. E. Ibe. Nucl. Instr. Meth. B, 39, 148 (1989)
  29. L.S. Hung, Q.Z. Hong, J.W. Mayer. Nucl. Instr. Meth. B, 37/38, 414 (1989)
  30. J.W. Mayer, B.Y. Tsaur, S.S. Lau, L.S. Hung. Nucl. Instr. Meth., 182/183, 1 (1981)
  31. D.L. Santes, J.P. de Souza, L. Amaral, H. Boudinov. Nucl. Instr. Meth. B, 103, 56 (1995)
  32. L.S. Hung, J.W. Mayer, C.S. Pai, S.S. Law. J. Appl. Phys., 58, 1527 (1985)
  33. В.В. Козловский, В.Н. Ломасов. Поверхность. Физика, химия, механика, N 3, 146 (1987)
  34. В.Н. Ломасов. Высокочистые вещества, N 3, 57 (1992)
  35. R. Leguay, A. Dunlop, F. Dunstetter. Nucl. Instr. Meth. B, 106, 28 (1995)
  36. В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1981)
  37. Ю.Н. Казаринов, В.Н. Ломасов, Б.А. Таллерчик, Э.Р. Катилене. Электрон. техн., сер. 6, Материалы, N 6(121), 9 (1983)
  38. K. Neubeck, C.-E. Lefaucheur, H. Halm. Nucl. Instr. Meth. B, 106, 589 (1995)
  39. В.В. Козловский, В.Н. Ломасов. ФТП, 18, 956 (1984)
  40. В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, Г.М. Гурьянов, А.П. Коварский. ФТП, 18, 958 (1984)
  41. И.А. Аброян, А.И. Андронов, А.И. Титов. Физические основы электронной и ионной технологии (М., Высш. шк., 1984)
  42. S.E. Donnelly, A.A. Lucas, J.P. Vigneron, J.C. Rife. Rad. Eff., 78, 337 (1982)
  43. S.E. Donnelly. Rad. Eff., 90, 1 (1985)
  44. C.C. Griffioen, J.H. Evans, P.C. De Jong, A. Van Veen. Nucl. Instr. Meth. B., 27, 417 (1987)
  45. V. Raineri, P.G. Fallica, G. Percolla, A. Battaglia, M. Barbagallo, S.U. Campisano. J. Appl. Phys., 78, 3727 (1995)
  46. R. Tonini, F. Corni, S. Frabboni, G. Ottaviani, C.F. Cerofolini. J. Appl. Phys., 84, 4202 (1998)
  47. D.M. Follstaedt. Appl. Phys. Lett., 62, 1116 (1993)
  48. D.J. Eaglesham, A.E. White, L.C. Feldman, N. Moriya, D.C. Jacobson. Phys. Rev. Lett., 70, 1643 (1993)
  49. S.M. Myers, D.M. Follstaedt, H.J. Stein, W.R. Wampler. Phys. Rev. B, 45, 3914 (1992)
  50. C.F. Cerofolini, L. Meda, R. Balboni, F. Corni, S. Frabboni, G. Ottaviani, R. Tonini, M. Anderle, R. Canteri. Phys. Rev. B, 46, 2061 (1992)
  51. R.N. Hall. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS--31, 320 (1984)
  52. S.J. Jeng, G.S. Oehrlein. Appl. Phys. Lett., 50, 1912 (1987)
  53. J. Wong-Leung, C.E. Ascheron, M. Petravic, R.G. Elliman, J.S. Williams. Appl. Phys. Lett., 66, 1231 (1995)
  54. X. Lu, N.W. Cheung, M.D. Strathman, P.K. Chu, B. Doyle. Appl. Phys. Lett., 71, 1804 (1997)
  55. M. Bruel. Electron. Lett., 31, 1201 (1995)
  56. A.-J. Auberton-Herve. Sol. St. Technol., 37, 89 (1994)
  57. S. Bengtsson. J. Electron. Mater., 21, 841 (1992)
  58. C.M. Varma. Appl. Phys. Lett., 71, 3519 (1997)
  59. W.K. Chu, R.H. Kastl, R.F. Lever, S.F. Mader, B.J. Masters. Phys. Rev. B, 16, 3851 (1977)
  60. C.C. Criffoen, J.H. Evans, P.C.D. Jong, A. van Veen. Nucl. Instr. Meth. B, 27, 417 (1987)
  61. Q.-Y. Tong, K. Gutjahr, S. Hopfe, U. Gosele, T.-H. Lee. Appl. Phys. Lett., 70, 1390 (1997)
  62. A. Agarwal, T.E. Haynes, V.C. Venezia, O.W. Holland, D.J. Eaglesham. Appl. Phys. Lett., 72, 1086 (1998)
  63. L.D. Cioccio, Y. Le Tiec, F. Letertre, C. Jaussand, M. Bruel. Electron. Lett., 32, 1144 (1996)
  64. L.D. Cioccio, Y. Le Tiec, C. Jaussand, E. Hugonnard-Bruyere, M. Bruel. Mater. Sci. Forum, 264--268, 765 (1998)
  65. Q.-Y. Tong, T.-H. Lee, L.-J. Huang, Y.-L. Chao, U. Gosele. Electron. Lett., 34, 407 (1998)
  66. E. Jalaguir, B. Aspar, S. Pocas, J.F. Michaud, M. Zussy, A.M. Papon, M. Bruel. Electron. Lett., 34, 408 (1998)
  67. H. Wong, N.W. Cheung, P.K. Chu. Appl. Phys. Lett., 52, 889 (1988)
  68. M.H.F. Overwijk, J. Politiek, R.C.M. Kruif, P.C. Zalm. Nucl. Instr. Meth. B, 96, 257 (1995)
  69. C.J. Barbero, J.W. Corbett, C. Deng, Z. Atzmon. J. Appl. Phys., 78, 3012 (1995)
  70. W. Skorupa, R. Kogler, K. Schmalz, P. Gaworzewski, G. Morgenstren, H. Syhre. Nucl. Instr. Meth. B, 74, 70 (1993)
  71. P.A. Stolk, J.L. Benton, D.J. Eaglesham, D.C. Jacobson, J.-Y. Cheng, J.M. Poate, S.M. Myers, T.E. Haynes. Appl. Phys. Lett., 68, 51 (1995)
  72. S.M. Myers, D.M. Bishop, D.M. Follstaedt, H.J. Stein, W.R. Wampler. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 283, 549 (1993)
  73. J. Wong-Leung, E. Nygen, J.S. Williams. Appl. Phys. Lett., 67, 416 (1995)
  74. S.M. Myers, G.A. Petersen. Phys. Rev. B, 57, 7015 (1998)
  75. S.A. McHugo, E.R. Weber, S.M. Myers, G.A. Petersen, J. Electrochem. Soc., 145, 1400 (1998)
  76. S.A. McHugo, E.R. Weber, S.M. Myers, G.A. Petersen. Appl. Phys. Lett., 69, 3060 (1996)
  77. S.J. Pearton, J.W. Corbett, M. Stavola. Hydrogen in Crystalline Semiconductors (Heidelberg, Springer Verlag, 1992)
  78. S.M. Myers, D.M. Follstaedt, D.M. Bishop. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 316, 53 (1994)
  79. S.M. Myers, G.A. Petersen, C.H. Seager. J. Appl. Phys., 80, 3717 (1996)
  80. V.V. Kozlovski, L.F. Zakharenkov. Rad. Eff. Def. Sol., 138, 75 (1996)
  81. V.V. Kozlovski, L.F. Zakharenkov, T.I. Kol'chenko, V.M. Lomako. Rad. Eff. Def. Sol., 138, 63 (1996)
  82. В.В. Козловский. Поверхность, 8, 66 (1997)
  83. В.А. Дидик, В.В. Козловский, Р.Ш. Малкович, Е.А. Скорятина. ФТТ, 40, 2189 (1998).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme