Показана прямая связь изменений статических приборных характеристик барьеров Шоттки Au-GaAs с изменениями свойств поверхности при обработке структур n-n⁺-GaAs в атомарном водороде, заключающимися в изменении скорости травления поверхности n-GaAs в растворе диметилформамид : моноэтаноламин = 1 : 3, уменьшении скорости электрохимического осаждения и изменении структуры осаждаемого Au-слоя, а также в пассивации выходящих на поверхность линейных дефектов. Наблюдается практически полное отсутствие фигур травления на поверхности эпитаксиального слоя n-GaAs (100) при обработке в атомарном водороде незащищенной поверхности при температуре 100^oC. Для защищенной пленкой SiO₂ толщиной 50 Angstrem поверхности уменьшение скорости травления материала n-GaAs и значительное уменьшение количества фигур травления, уменьшение толщины осаждаемого слоя Au, изменение его структуры наблюдаются практически во всем температурном интервале обработок в атомарном водороде (100/ 400^oC).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.