Исследовано влияние технологических параметров осаждения, чистоты и относительной концентрации диборана, температуры подложки на электрофизические параметры пленок a-Si : H<B>, полученных методом высокочастотного разложения газовой смеси в многоэлектродной системе. Предполагается одновременное существование механизмов легирования и модифицирования при введении бора из диборана в процессе осаждения пленок a-Si : H<B>.
P.G. Le Comber, W.E. Spear. J. Non-Cryst. Sol., 35--36, 327 (1980)
О.А. Голикова, У.С. Бабаходжаев, В.В. Дубро, Р.Г. Икрамов, М.М. Казанин, М.М. Мездрогина, Р.Р. Яфаев. ФТП, 26, 66 (1992)
М.М. Мездрогина, О.А. Голикова, М.М. Казанин, И.Р. Икрамов. ЖТФ, 62, 108 (1992)
М.М. Мездрогина, А.В. Абрамов, Г.Н. Мосина, А.В. Пацекин. ФТП, 23, 555 (1998)
А.Р. Регель, П.П. Серегин, М.М. Мездрогина, Ф.С. Насрединов, М.С. Аблова, У.Ж. Абдумаюмов. ФТП, 22, 161 (1988)
М.М. Мездрогина, А.Ф. Бардамид, О.А. Голикова, М.М. Казанин, В.Х. Кудоярова, К.Л. Сорокина. Неорг. матер., 26, 1809 (1990)
М.М. Мездрогина, О.А. Голикова, В.Х. Кудоярова, М.М. Казанин. Неорг. матер., 26, 455 (1990)
А.Г. Казанский, Е.П. Милигович, Р.А. Уразбаева. ФТП, 24, 1143 (1990)
S.C. Shen, M. Cardona. Phys Rev. B, 23, 5322 (1981)
W.C. Price. J. Chem. Phys., 16, 894 (1948)
I. Freund, R.S. Halford. J. Chem. Phys., 43, 3795 (1965)
G. Lucovski. Solar Cells, 2, 431 (1980)
W.A. Pliskin, H.S. Lehman. J. Electrochem. Soc., 112, 1013 (1965)
Abstract MRS, San Francisco, California, April 13--17, 1998, p. 13
Е.В. Хамакава. В кн.: Современные проблемы в полупроводниковой фотоэнергетике (М., Мир, 1988) с. 139