Исследованы поглощение, проводимость и фотопроводимость фоточувствительного слабо легированного бором mu c-Si:H. Зависимости фотопроводимости от температуры и интенсивности света измерены в области температур 100/ 400 K для различных энергий квантов (0.9, 1.3 и 1.8 эВ). Полученные результаты объясняются определяющим вкладом микрокристаллической фазы и состояний на границах раздела микрокристаллов в перенос и рекомбинацию неравновесных носителей в mu c-Si:H. Рассмотрены возможные механизмы рекомбинации и изменение их роли с температурой.
M.J. Williams, C. Wang, G. Lucovsky. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 219, 389 (1991)
I. Beckers, N.H. Nickel, W. Pilz, W. Fuhs. J. Non-Cryst. Sol., 227-- 230, 847 (1998)
P.G. LeComber, G. Willeke, W.E. Spear. J. Non-Cryst. Sol., 59\&60, 795 (1983)
G. Lucovsky, C. Wang. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 219, 377 (1991)
R. Fluckiger, J. Meier, M. Goetz, A. Shah. J. Appl. Phys., 77, 712 (1995)
M. Bruggemann, A. Hierzenberger, P. Reining, M. Rojahn, M.B. Schubert, S. Schweizer, H.N. Wanka, I. Zrinscak. J. Non-Cryst. Sol., 227--230, 982 (1998)
D. Ruff, H. Mell, L. Toth, I. Sieber, W. Fuhs. J. Non-Cryst. Sol., 227--230, 1011 (1998)
F. Siebke, S. Yata, Y. Hishikawa, M. Tanaka. J. Non-Cryst. Sol., 227--230, 977 (1998)
N. Beck, J. Meier, J. Fric, Z. Remes, A. Poruba, R. Fluckiger, J. Pohl, A. Shah, M. Vanecek. J. Non-Cryst. Sol., 198--200, 903 (1996)
M. Vanecek, A. Poruba, Z. Remes, N. Beck, M. Nesladek. J. Non-Cryst. Sol., 227--230, 967 (1998)
H.N. Liu, Y.L. He, F. Wang, S. Crebner. J. Non-Cryst. Sol., 164--166, 1005 (1993)
P. Torres, J. Meier, R. Fluckiger, J.A. Selvan, H. Keppner, A. Shah, S.D. Littlewood, I.E. Kelly, I. Giannoules. Appl. Phys. Lett., 69, 1373 (1996)