"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов в полупроводниках
Булярский С.В.1, Светухин В.В.1, Львов П.Е.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Поступила в редакцию: 25 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

Методом минимизации свободной энергии реального кристалла проводится расчет сложных дефектов в полупроводниках. Рассматривается влияние электронной подсистемы на процесс растворения примеси. Проведено моделирование кривых солидуса с учетом парной ассоциации и кластеризации.
  • В.И. Фистуль. Физика и химия полупроводников (М., Металлургия, 1995)
  • В.М. Глазов, В.С. Земсков. Физико-химические основы легирования полупроводников (М., Наука, 1967)
  • С.В. Буляровский, В.И. Фистуль. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1997)
  • C.V. Bulyarskii, V.P. Oleinikow. Phys. St. Sol. (b), 141, K7 (1987)
  • C.V. Bulyarskii, V.P. Oleinikow. Phys. St. Sol. (b) 146, 439 (1988)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.