"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Туннельная спектроскопия атомов примесей в монокристаллической полупроводниковой матрице
Картавых А.В.1, Маслова Н.С.2, Панов В.И.2, Раков В.В.1, Савинов С.В.2
1Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
2Московский государственный университет (Физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 28 июня 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

Представлены результаты исследования атомов примесей, представляющих два важнейших класса (так называемые "мелкие" и "глубокие") в монокристаллической матрице полупроводников группы AIIIBV с целью определения возможностей и перспектив сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии для решения прикладных аналитических и технологических задач полупроводникового материаловедения.
  • G. Binning, H. Roher, C. Gerber, E. Weibel. Phys. Rev. Lett., 50, 120 (1983)
  • Н.С. Маслова, В.И. Панов. УФН, 157, 185 (1989)
  • C.S. Jiang, T. Nakayama, M. Aono. Jpn. J. Appl. Phys., 36, 1336 (1997)
  • R.S. Goldman, R.M. Feenstra, B.G. Briner, M.L. O'Steen, R.J. Hauenstein. Appl. Phys. Lett., 69, 3698 (1996)
  • C. Domke, Ph. Ebert, M. Heinrich, K. Urban. Phys. Rev. B, 54, 10 288 (1996)
  • О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир, 1967)
  • С.С. Стрельченко, В.В. Лебедев. Соединения A-=SUP=-III-=/SUP=-B-=SUP=-V-=/SUP=-. Справочник (М., Металлургия, 1984)
  • S.I. Oreshkin, V.I. Panov, S.V. Savinov, A. Depuydt, C. Van Haesendonck. Instr. Exper. Techn., 40(4), 566 (1997)
  • A. Depuydt, N.S. Maslova, V.I. Panov, V.V. Rakov, S.V. Savinov, C. Van Haesendonck. Appl. Phys. A, 66, S171 (1998)
  • О. Маделунг. Физика твердого тела. Локализованные состояния (М., Мир, 1985)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.