Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Расчет коэффициентов оже-рекомбинации в гетероструктуре с квантовыми ямами InGaAsP/InP

Гунько Н.А.¹, Полковников А.С.¹, Зегря Г.Г.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 24 марта 1999 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приводится численный расчет коэффициентов оже-рекомбинации в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе InGaAsP/InP. Показано, что для узких квантовых ям основной вклад в коэффициент оже-рекомбинации вносят квазипороговый и беспороговый механизмы. Показано также, что в широком диапазоне температур коэффициенты оже-рекомбинации для процессов с участием двух электронов и тяжелой дырки (CHCC) и электрона и двух тяжелых дырок с переходом одной из них в спин-орбитально отщепленную зону (CHHS) имеют слабую температурную зависимость. Исследована зависимость оже-коэффициентов от ширины квантовой ямы; установлено, что она является немонотонной.

G.P. Agrawal, N.K. Dutta. Long-Wavelength Semiconductor Lasers (Van Nostrand Reinhold, N.Y., 1993)
Quantum Well Lasers, ed. by P.S. Zory, Jr. (Academic Press, Inc., 1993)
A.R. Beattie, P.T. Landsberg. Proc. Roy. Soc., A249, 16 (1959)
Б.Л. Гельмонт. ЖЭТФ, 75, 536 (1978)
В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Ясиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ РАН, 1997)
Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова. ФТП, 16, 1670 (1982); Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, И.Н. Ясевич. ФТП, 18, 1803 (1984); Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ФТТ, 29, 2351 (1987)
A. Haug. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 16, 4159 (1983)
M. Takeshima. Phys. Rev. B, 28, 2039 (1983)
Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ЖЭТФ, 113, 1491 (1998)
A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya. Phys. Rev. B, 58, 4039 (1998)
M.I. Dyakonov, V.Yu. Kachorovskii. Phys. Rev. B, 49, 17 130 (1994)
Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101, 327 (1992)
Интерактивная база данных "Новые полупроводниковые материалы. Характеристики и свойства" /http/www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель