"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Стимулированное углеродом увеличение концентрации дивакансий галлия в полуизолирующих нелегированных кристаллах арсенида галлия
Глинчук К.Д.1, Литовченко Н.М.1, Прохорович А.В.1, Стрильчук О.Н.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 19 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

Показано, что увеличение содержания углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах арсенида галлия приводит к существенному возрастанию в них концентрации дивакансий галлия. Отмеченное, наиболее вероятно, связано с заполнением атомами углерода вакансий мышьяка, входящих в состав комплекса дивакансия мышьяка --- дивакансия галлия.
  • Чао Чень, В.А. Быковский, М.И. Тарасик. ФТП, 28, 35 (1994)
  • L.M. Scolfaro, R. Pintanel, V.M. Gomes, J.R. Leite. Phys. Rev. B, 34, 7135 (1986)
  • B.T. Guningham, L.J. Guido, J.E. Baker. Appl. Phys. Lett., 55, 687 (1989)
  • I. Fujimoto, S. Nishine, T. Yamada. Japan J. Appl. Phys., 31, L296 (1992)
  • K.J. Chang, B.H. Cheong. Phys. Rev. B, 49, 17 436 (1994)
  • T.M. Schmidt, P.M. Venezuela, M.J. Caldas, A. Fazzio. Appl. Phys. Lett., 66, 2715 (1995)
  • К.Д. Глинчук, Н.М. Литовченко, О.Н. Стрильчук, А.В. Прохорович. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 1998) вып. 33, с. 204
  • K.D. Glinchuk, N.M. Litovchenko, O.N. Strilchuk, A.V. Prokhorovich. Phys. St. Sol. (b), 213, 233 (1999)
  • T. Schmidt, K. Lischka. Phys. Rev. B, 45, 8989 (1992)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.