"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Термоэдс n-InSb в поперечном квантующем магнитном поле и при большом градиенте температуры
Гаджиалиев М.М.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 27 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

Исследована термоэдс электронного антимонида индия при Tav=160 K и различных градиентах температуры в поперечном магнитном поле (0-80) кЭ. Установлено, что при малом градиенте температуры электронная доля термоэдс подчиняется теории, учитывающей спин электрона, а при большом градиенте температуры к ней добавляется величина, обусловленная изменением термоэдс Бенедикса в магнитном поле.
  • Х.И. Амирханов, Р.И. Баширов, М.М. Гаджиалиев. ФТТ, 3, 3743 (1961)
  • И.Л. Дричко, И.В. Мочан. ФТТ, 6, 1902 (1964)
  • S.M. Puri, T.H. Geballe. Phys. Rev., 136, 1767 (1964)
  • Х.И. Амирханов, Р.И. Баширов, М.М. Гаджиалиев. ФТП, 1, 26 (1967)
  • М.М. Гаджиалиев. Изв. вузов. Физика, N 3, 21 (1993)
  • А.И. Ансельм, Р.Г. Тарханян. ФТТ, 6, 3357 (1964)
  • Б.М. Аскеров. Электронные явления в полупроводниках (М., Наука, 1985) с. 223
  • М.М. Гаджиалиев, В.А. Елизаров. ФТП, 32, 1313 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.