Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Баллистическая проводимость квантовой проволоки при конечных температурах
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.
Температурная зависимость баллистической проводимости квантовой проволоки рассчитывается в пренебрежении процессами рассеяния носителей. Вклад в проводимость (G) подзон, для которых Ej-mu>> kT, описывается формулой Ландауэра-Буттикера G=2e2/h (e - заряд электрона, h - постоянная Планка, mu(T) - химический потенциал, Ej - дно j-й подзоны размерного квантования, T - температура, k - постоянная Больцмана). Проводимость остальных подзон падает, и для высоколежащих подзон она экспоненциально мала. Показано исчезновение квантовой лестницы, когда kT приближается к величине энергетического зазора между уровнями размерного квантования. Подобное температурное тушение квантовой лестницы вблизи значений потенциала на затворе, соответствующих скачкообразному изменению баллистической проводимости, наблюдается при исследовании квантованной проводимости кремниевой квантовой проволоки.
- R. Landauer. J. Res. Dev., 1, 233 (1957)
- M. Buttiker. Phys. Rev. Lett., 57, 1761 (1986)
- D.A. Wharam, T.J. Thornton, R. Newbury et al. J. Phys. C, 21, L209 (1988)
- B.J. van Wees, H. van Houten, C.W.J. Beenakker, J.G. Williamson, L.P. Kouwenhoven, D. van der Marel, C.T. Foxon. Phys. Rev. Lett., 60, 848 (1988)
- L.P. Kouwenhoven, B.J. van Weels, C.J.P.M. Harmans, J.G. Williamson, H. van Houten, C.W.J. Beenakker, C.T. Foxon, J.J. Harris. Phys. Rev. B, 39, 8040 (1989)
- А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978)
- N.T. Bagraev, E.I. Chaikina, L.E. Klyachkin, I.I. Markov, W. Gehlhoff. Superlatt. Microstr., 23, 337 (1998)
- N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, W. Gehlhoff. Superlatt. Microstr., 23, 1333 (1998)
- Н.Т. Баграев, В. Гельхофф, В.К. Иванов, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, И.А. Шелых. ФТП, 34, 97 (2000)
- W. Gehlhoff, N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin. Sol. St. Phenomena, 47--48, 389 (1996)
- C.-T. Liang, M.Y. Simmons, C.G. Smith, G.H. Kim, D.A. Ritchie, M. Pepper. Phys. Rev. Lett., 81, 3507 (1998)
- Y. Nakajima, Y. Takahashi, S. Horiguchi et al. Extend. Abstr. IC SSDM (Yokohama, Japan, 1994) p. 538
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
