"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Роль эффекта ударной ионизации в формировании обратных вольт-амперных характеристик туннельных структур Al/SiO2/n-Si
Векслер М.И.1, Грехов И.В.1, Шулекин А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.

Проанализированы физические процессы, ответственные за формирование обратных вольт-амперных характеристик структур Al/SiO2/n-Si с толщиной SiO2 в пределах 1.2-3.2 нм и уровнем легирования кремния 1014-1018 см-3. Предложена новая модель для описания процесса эволюции энергии горячих электронов в таких структурах. Разграничена роль оже-ионизации и ударной ионизации. Теоретически и экспериментально изучены величины напряжений переключения туннельной МОП структуры. Показано, что напряжение переключения уменьшается с ростом толщины окисла.
  • K.M. Chu, D.L. Pulfrey. IEEE Trans. Electron Dev., ED-35, N 2, 188 (1988)
  • T. Yoshimoto, K. Suzuki. Jpn. J. Appl. Phys., 32 (12), L180 (1993)
  • H.S. Momose, S. Nakamura, T. Ohguro, T. Yoshitomi, E. Morifuji, T. Morimoto, Y. Katsumata, H. Iwai. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-45, N 3, 691 (1996)
  • S.K. Lai, P.V. Dressendorfer, T.P. Ma, R.C. Barker. Appl. Phys.Lett., 38 (1), 41 (1981)
  • И.В. Грехов, Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев, А.Ф. Шулекин. Письма ЖТФ, 17 (3), 44 (1991)
  • I.V. Grekov, A.F. Shulekin, M.I. Vexler. Sol. St. Electron., 38 (8), 1533 (1995)
  • Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев. ФТП, 28 (8), 1411 (1994)
  • A.F. Shulekin, M.I. Vexler, H. Zimmermann. Semicond. Sci. Technol., 14 (5), 470 (1999)
  • Y. Wang, K.F. Brennan. J. Appl. Phys., 75 (1), 313 (1994)
  • W.E. Drummond, J.L. Moll. J. Appl. Phys., 42 (13), 5556 (1971)
  • T. Ando, A. Fowler, F. Stern. Rev. Mod. Phys., 54, N 2 (1982)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. [Пер. с англ.: М., Мир, 1984] т. 1, с. 99
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.