Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2000, выпуск 8 » Статья стр. 897
>>>
Радиационные дефекты в n-6H-SiC, облученном протонами с энергией 8 МэВ
Лебедев А.А.1, Вейнгер А.И.1, Давыдов Д.В.1, Козловский В.В.2, Савкина Н.С.1, Стрельчук А.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 31 января 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.
PDF версия
Емкостными методами и методом электронного парамагнитного резонанса проведено исследование глубоких центров, образующихся в n-6H-SiC, облученном протонами с энергией 8 МэВ. В качестве образцов были выбраны диоды Шоттки и p-n-структуры, как изготовленные методом сублимационной эпитаксии, так и коммерчески выпускаемые CREE Inc (США). Обнаружено, что тип вводимых облучением центров не зависит от технологии изготовления материала и от вида заряженных частиц. Показано, что под действием облучения происходит увеличение суммарной концентрации донорных центров. На основе данных по отжигу дефектов и данных электронного парамагнитного резонанса сделаны предположения о возможной структуре образовавшихся центров.
  1. В.В. Козловский, С.И. Пономарев, И.А. Козловская. Письма ЖТФ, 20, 1 (1994)
  2. А.О. Константинов, В.Н. Кузьмин, Л.С. Лебедев, Д.П. Литвин, А.Г. Остроумов, В.И. Санкин, В.В. Семенов. ЖТФ, 54, 1622 (1984)
  3. G.C. Rybicki. J. Appl. Phys., 78, 2996 (1995)
  4. R.K. Nadela, M.A. Capano. Appl. Phys. Lett., 70, 886 (1997)
  5. T. Dalibor, G. Pensl, H. Matsunami, T. Kimoto, W.J. Choyke, A. Schoner, N. Nordel. Phys. St. Sol. (a), 162, 199 (1997)
  6. W. Puff, P. Mascher, A.G. Balogh, H. Baumann. Mater. Sci. Forum, 258--263, 733 (1997)
  7. J.W. Palmor, J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter, Jr. Physica B, 185, 461 (1993)
  8. N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, M.A. Yagovkina. Mater. Sci. Eng. B, 61--62, 165 (1999)
  9. Радиационные процессы в технологии материалов и изделий электронной техники, под ред. В.С. Иванова, В.В. Козловского (М., Энергоатомиздат, 1997)
  10. А.А. Лебедев, Н.А. Соболев. ФТП, 16, 1874 (1982)
  11. В.Н. Брудный, А.И. Потапов. Матер. 7-й Росс. конф. "Арсенид галлия" (Томск, 1999) с. 68
  12. В.С. Балландович. ФТП, 33, 1314 (1999)
  13. М.М. Аникин, А.С. Зубрилов, А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, А.Е. Черенков. ФТП, 25, 479 (1991)
  14. А.И. Вейнер, В.А. Ильин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. ФТП, 15, 1557 (1981)
  15. М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов. ФТП, 19, 69 (1985)
  16. P.G. Baranov, I.V. Il'in, E.N. Mokhov. Phys. Sol. St., 40, 36 (1998)
  17. A.A. Lebedev, A.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovskii, N.S. Savkina, D.V. Davydov, V.V. Soloviev. Mater. Sci. Eng. B, 61--62, 450 (1999)
  18. А.А. Лебедев. ФТП, 30, 39 (1996)
  19. Н.М. Павлов, М.И. Иглицын, М.Г. Косаганова, В.Н. Соломатин. ФТП, 9, 1279 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme