"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Дальнодействующее влияние ионного облучения, химического травления и механической шлифовки на релаксацию твердого раствора железа в фосфиде галлия
Демидов Е.С.1, Громогласова А.Б.1, Кaрзанов В.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 25 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Методом электронного парамагнитного резонанса непосредственно исследовалось влияние внешних воздействий на дефектную систему неоднородно легированных железом кристаллов фосфида галлия. Замещающие галлий ионы Fes3+(Ga) (A-центры) и межузельные атомы Fei0 (B-центры) рассматриваются в качестве индикаторов и участников перестройки дефектной системы кристалла. Обнаружено дальнодействующее влияние ионного облучения аргоном, химического травления или механической шлифовки на A- и B-центры. Эффект дальнодействия объясняется пластической деформацией кристалла GaP : Fe и взаимодействием дислокаций с A- и B-центрами при модификации кристалла ионным облучением или удалением с одной стороны вызывающего механические напряжения слоя, насыщенного Fes3+(Ga)-центрами. В случае ионного облучения, по-видимому, важна роль упругих волн, генерируемых в зоне торможения ионов аргона и взаимодействующих с B-центрами и дислокациями.
  • В.Ф. Мастеров, С.И. Марков, Л.П. Пасечник, В.К. Соболевский. ФТП, 17, 1130 (1983)
  • Е.С. Демидов, А.А. Ежевский. ФТП, 19, 1629 (1985)
  • Е.С. Демидов, В.В. Карзанов, А.Б. Громогласова, О.Н. Морозкин. ФТП, 33, 385 (1999)
  • П.В. Павлов, Е.С. Демидов, Г.В. Зорина. ФТП, 21, 984 (1987)
  • Е.С. Демидов, В.В. Карзанов, П.В. Павлов. ФТП, 23, 548 (1989)
  • В.В. Карзанов, П.В. Павлов, Е.С. Демидов. ФТП, 23, 2064 (1989)
  • Е.С. Демидов. Автореф. докт. дис. (Н. Новгород, Изд-во ННГУ, 1994)
  • Е.С. Демидов, А.А. Ежевский. Завод. лаб., 47, 42 (1981)
  • Е.С. Демидов, А.А. Ежевский, В.В. Карзанов. ФТП, 17, 661 (1983)
  • Б.Ф. Ормонт. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников (М., Высш. шк., 1982)
  • П.В. Павлов, А.Ф. Хохлов. Физика твердого тела (Н. Новгород, Изд-во ННГУ, 1993)
  • И.А. Аброян, А.Н. Андронов, А.И. Титов. Физические основы электронной и ионной технологии (М., Высш. шк., 1984)
  • Т.А. Куземченко. Автореф. канд. дис. (М., ИОФ АН СССР, 1989)
  • В.В. Карзанов, К.А. Марков, С.Ю. Зубков, Д.О. Филатов, Г.А. Максимов, Е.С. Демидов. Матер. Всеросс. совещ. "Зондовая микроскопия-99" (Н. Новгород, 1999) с. 185
  • N.N. Pribylov, A.I. Spirin, S.I. Rembeza, V.I. Kirillov. Phys. St. Sol. (a), 172, 177 (1999)
  • Ф.С. Шишияну, В.Г. Георгиу. ФТП, 10, 2188 (1976)
  • Е.С. Демидов. ФТТ, 34, 37 (1992)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.