"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптическая бистабильность и неустойчивость в полупроводнике при температурной зависимости времени релаксации свободных носителей заряда и их равновесной концентрации
Бондаренко О.С.1, Лысак Т.М.1, Трофимов В.А.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 19 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Рассматривается влияние температурной зависимости времени релаксации свободных электронов и их равновесной концентрации на реализацию оптической бистабильности и неустойчивость стационарных состояний. Рассмотрение проводится в рамках модели, описывающей процесс взаимодействия оптического излучения с полупроводником, при различных предположениях относительно условий этого взаимодействия.
  • Х. Гиббс. Оптическая бистабильность управления светом с помощью света (М., Мир, 1988)
  • Оптические вычисления, под ред. Р. Арратуна (М., Мир, 1993)
  • Н.Н. Розанов. Оптическая бистабильность и гистерезис в распределенных нелинейных системах (М., Наука, 1997)
  • Колебания и бегущие волны в химических системах, под ред. Р. Филда, М. Бургера (М., Мир, 1988)
  • O.S. Bondarenko, V.A. Trofimov et al. BRAS. Physics/Suppl. Physics of Vibrations, 50 (1), 21 (1995)
  • О.С. Бондаренко, С.В. Поляков, В.А. Трофимов. ФТТ, 36 (1), 152 (1994)
  • О.С. Бондаренко, В.А. Трофимов. ДАН, 364 (5), 1 (1999)
  • Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
  • Ю.Н. Карамзин, С.В. Поляков, В.А. Трофимов. Письма ЖТФ, 18 (24), 38 (1992)
  • Ю.Н. Карамзин, С.В. Поляков, В.А. Трофимов. Препринт ИПМ им. М.В. Келдыша АН СССР, N 62 (1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.