Термоэдс в биполярном полупроводнике при увлечении носителей тока фононами
Конин А.1, Рагуотис Р.1
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 27 января 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.
Получено выражение, описывающее термоэдс в полупроводниковом образце при малых отклонениях концентраций носителей заряда от равновесных и произвольной степени увлечения электронно-дырочных пар фононами. Показано, что при наличии термоувлечения величина термоэдс значительно изменяется в образце любых размеров. При определенных условиях может измениться также знак термоэдс.
- Yu.G. Gurevich, O.Yu. Titov, G.N. Logvinov, O.I. Lyubimov. Phys. Rev. B, 51, 6999 (1995)
- A.M. Konin, R. Raguotis. Semicond. Sci. Technol. (в печати, 2000)
- Ф.Г. Басс, В.С. Бочков, Ю.Г. Гуревич. Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках (М., Наука, 1984)
- А.М. Конин. ФТП, 31, 692 (1997)
- Ф.Г. Басс, В.С. Бочков, Ю.Г. Гуревич. ФТП, 7, 3 (1973)
- В.С. Бочков, Ю.Г. Гуревич. ФТП, 17, 728 (1983)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук