"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Термоэдс в биполярном полупроводнике при увлечении носителей тока фононами
Конин А.1, Рагуотис Р.1
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 27 января 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Получено выражение, описывающее термоэдс в полупроводниковом образце при малых отклонениях концентраций носителей заряда от равновесных и произвольной степени увлечения электронно-дырочных пар фононами. Показано, что при наличии термоувлечения величина термоэдс значительно изменяется в образце любых размеров. При определенных условиях может измениться также знак термоэдс.
  • Yu.G. Gurevich, O.Yu. Titov, G.N. Logvinov, O.I. Lyubimov. Phys. Rev. B, 51, 6999 (1995)
  • A.M. Konin, R. Raguotis. Semicond. Sci. Technol. (в печати, 2000)
  • Ф.Г. Басс, В.С. Бочков, Ю.Г. Гуревич. Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках (М., Наука, 1984)
  • А.М. Конин. ФТП, 31, 692 (1997)
  • Ф.Г. Басс, В.С. Бочков, Ю.Г. Гуревич. ФТП, 7, 3 (1973)
  • В.С. Бочков, Ю.Г. Гуревич. ФТП, 17, 728 (1983)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.