"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотовольтаический эффект в гетероструктурах a-Si : H / n-InSe
Бекимбетов Р.Н.1, Николаев Ю.А.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.1, Теруков Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Осаждением пленок a-Si : H на поверхность (001) монокристаллических пластин InSe, а также осаждением пленок чистого индия с их последующей селенизацией синтезированы пленки InSe на поверхности a-Si : H и выращены гетероструктуры в системе a-Si : H / InSe. Обнаружен и исследован фотовольтаический эффект для обоих типов гетероструктур. Сделан вывод о перспективах применения полученных гетероструктур в качестве широкополосных фотопреобразователей излучения.
  • I.V. Bodnar, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud'. Cryst. Res. Technol., 31, 261 (1996)
  • V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', S. Iida, M. Morohashi-Yamazaki, H. Uchiki, N. Mamedov. Inst. Phys. Conf. Ser. 152, 967 (1997)
  • M.C. Ohmer, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', P.G. Schuhemann. Abstracts 24th Int. Conf. on the Physics Semicond. Aug. 2--7, 1998 (Jerusalem, Israel) v. 2, Th-P213
  • А.А. Лебедев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 32, 353 (1998)
  • В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Ф. Гременок, И.В. Боднарь, Р.Н. Бекимбетов. ФТП, 33, 1205 (1999)
  • Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. ФТП, 34, 818 (2000)
  • Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М. Сов. радио, 1979)
  • Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1979)
  • Amorphous and Microcrystalline Semiconductor Devices II-Materials and Devices Physics, ed. by J. Kamaki (Artech Hause, Boston--London, 1992)
  • Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, 1921 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.