Измерена модуляция латеральным электрическим полем края фундаментального поглощения в гетероструктуре In0.21Ga0.79As/GaAs p-типа с квантовыми ямами в электрических полях до 1.9 кВ/см при температуре 4.2 K. Найдено изменение симметричной части функции распределения дырок электрическим полем.
W.E. Pinson, R. Bray. Phys. Rev. 136, A1449 (1964)
Л.Е. Воробьев, Ю.К. Пожела, А.С. Реклайтис, Е.С. Смирницкая, В.И. Стафеев, А.Б. Федорцев. ФТП, 12, 742 (1978)
Л.Е. Воробьев, Ю.К. Пожела, А.С. Реклайтис, Е.С. Смирницкая, В.И. Стафеев, А.Б. Федорцев. ФТИ, 12, 754 (1978)
W. Jantsch, H. Heinrich. Sol. St. Commun., 13, 715 (1973)
W. Jantsch, H. Brucker. Phys. Rev. B, 15, 4014 (1977)
V.Ya. Aleshkin, A.A. Andronov, A.V. Antonov, D.M. Gaponova, V.I. Gavrilenko, D.G. Revin, I.G. Malkina, E.A. Uskova, B.N. Zvonkov. Proc. Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 1998) p. 168
E.O. Kane J. Phys. Chem. Sol., 1, 249 (1957)
G. Bastard. Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures (Les Editions de Physique Press, 1988)
Д.Г. Ревин. Автореф. канд. дис. (Нижний Новгород, 1999)
И.А. Авруцкий, О.П. Осауленко, В.Г. Плотниченко, Ю.Н. Пырков. ФТП, 26, 1907 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.