Впервые исследована кинетика изменения сопротивления монокристаллов PbTe(Ga) с уровнем Ферми, изначально стабилизированным внутри запрещенной зоны, при их отжиге при температурах до 400^oC. Показано, что отжиг кристаллов уже в течение нескольких минут при температуре 200-250^oC приводит к трансформации полуизолирующего при низких температурах материала в сильно вырожденный полупроводник с концентрацией свободных электронов ~ 10¹⁸ см^-3, т. е. к распаду DX-подобных примесных центров, определяющих эффект стабилизации уровня Ферми внутри запрещенной зоны в PbTe(Ga). Определена энергия активации, соответствующая этому процессу. При высокотемпературном отжиге при температуре порядка 400^oC имеется тенденция к частичному восстановлению полуизолирующих свойств.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.