"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Сопоставление поляризации полосы фотолюминесценции 1.2 эВ в n-GaAs:Te при одноосном давлении и резонансном поляризованном возбуждении
Гуткин А.А.1, Рещиков М.А.1, Седов В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

Показано, что полоса фотолюминесценции 1.2 эВ в n-GaAs:Te, связываемая с излучением комплексов VGaTeAs с переориентирующимися ян-теллеровскими дисторсиями, содержит также вклад непереориентирующихся дефектов. Параметры оптических диполей обоих типов дефектов близки. В предположении об их полном совпадении получены выражения, связывающие величины поляризации полосы фотолюминесценции 1.2 эВ, полученные при одноосном давлении и поляризованном резонансном возбуждении, с параметрами диполей, а также с относительным вкладом в излучение переориентирующихся и непереориентирующихся дефектов. Развита методика оценок этих характеристик из анализа экспериментальных данных и определено, что вклады дефектов каждого типа в полосу фотолюминесценции 1.2 эВ сравнимы, хотя и изменяются от образца к образцу. Полученные значения углов, характеризующих положение осей оптических диполей дефектов в поглощающем и излучающем свет состояниях, свидетельствуют, что в первом из них влияние донора и ян-теллеровской дисторсии на вакансионные орбитали комплекса VGaTeAs сравнимы, тогда как во втором --- влияние дисторсии доминирует.
  • E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 922 (1968)
  • E.W. Williams, H.B. Bebb. Semiconductors and Semimetals, ed by R.K. Willardson, A.C. Beer (Academic Press, N.Y.--London, 1972) v. 8, p. 321
  • Ф.М. Воробкало, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 7, 896 (1973)
  • H.G. Guislain, L. De Wolf, P. Clauws. J. Electron. Mater., 7, 83 (1978)
  • И.Я. Буянова, С.С. Остапенко, М.К. Шейнкман. ФТТ, 27, 748 (1985)
  • Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 26, 1269 (1992)
  • A. Gutkin, M. Reshchikov, V. Sedov, V. Sosnovski. Proc. Estonian Acad. Sci. Phys. Math., 44, 212 (1995)
  • A.A. Gutkin, N.S. Averkiev, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov. Proc. 18th Int. Conf. on Defects in Semicond. (Sendai, Japan, July 23--28, 1995), ed. by M. Suezawa, H. Katayama--Yoshida [Mater. Sci. Forum., 196--201, pt. 1, 231 (1995)]
  • N.S. Averkiev, A.A. Gutkin, E.B. Osipov, M.A. Reshchikov, V.R. Sosnovki. Proc. 1st Nat. Conf. on Defects in Semicond. (St.Petersburg, Russia, April 26--30, 1992), ed. by N.T. Bagraev [Def. Dif. Forum, 103--106, 31 (1993)]
  • G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 134, A1359 (1964)
  • E.L. Elkin, G.D. Watkins. Phys. Rev., 174, 881 (1968)
  • А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. Тр. межд. конф. "Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах" (Ульяновск, Изд-во УлГУ, 1999) с. 12
  • Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Е. Седов, В.Р. Сосновский. ФТП, 25, 58 (1991)
  • Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Е. Седов, В.Р. Сосновский. ФТП, 25, 50 (1991)
  • П.П. Феофилов. Поляризованная фотолюминесценция атомов, молекул, кристаллов (М., Физматгиз, 1959)
  • Е.Е. Букке, Н.Н. Григорьев, М.В. Фок. Тр. ФИАН, 79, 108 (1974)
  • А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 31, 1062 (1997)
  • A.A. Gutkin, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov. Zeitschrift fur Physikalische Chemie, 200, 217 (1999)
  • Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, М.А. Рещиков. ФТП, 33, 1323 (1999)
  • Y.Q. Jia, H.J. von Bardeleben, D. Stievenard, C. Delerue. Phys. Rev. B, 45, 1645 (1992)
  • В.И. Вовненко, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 10, 1097 (1976)
  • Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 30, 1123 (1996)
  • F.C. Rong, W.A. Barry, J.F. Donegan, G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 54, 7779 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.