Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Рекомбинация автолокализованных экситонов в нанокристаллах кремния, сформированных в оксиде кремния

Журавлев К.С.¹, Кобицкий А.Ю.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 27 марта 2000 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Впервые экспериментально изучена кинетика фотолюминесценции и стационарная фотолюминесценция нанокристаллов кремния, сформированных в матрице SiO₂ имплантацией ионов кремния, в диапазоне от температуры жидкого гелия до комнатной. Обнаружено резкое увеличение времени затухания и одновременное гашение интенсивности фотолюминесценции при температурах ниже 70 K. Полученные результаты свидетельствуют о том, что фотолюминесценция нанокристаллов кремния обусловлена излучательной рекомбинацией экситонов, автолокализованных на границе <нанокристалл кремния>-<оксид кремния>.

L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
G. Amato, M. Rosenbauer. Structural and Optical Properties of Porous Silicon Nanostructures, ed. by G. Amato, C. Delerue and H.-J. Bardeleben (Amsterdam, 1997)
A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
G. Allan, C. Delerue, M. Lannoo. Phys. Rev. Lett., 76, 2961 (1996)
K.S. Zhuravlev, A.M. Gilinsky, A.Yu. Kobitsky. Appl. Phys. Lett., 73, 2962 (1998)
Y. Kanemitsu, S. Okamoto. Mater. Sci. Eng. B, 48, 108 (1997)
M.H. Nayfeh, N. Rigakis, Z. Yamani. Phys. Rev. B, 56, 2079 (1997)
G.A. Kachurin, K.S. Zhuravlev, N.A. Pazdnikov, A.F. Leier, I.E. Tyschenko, V.A. Volodin, W. Scorupa, R.A. Yankov. Nucl. Instrum. Meth. B, 127/128, 583 (1997)
P.D.J. Calcott, K.J. Nash, L.T. Canham, M.J. Kane, D. Brumhead. J. Phys.: Condens. Matter, 5, L91 (1993)
A.J. Kenyon, P.F. Trwoga, C.W. Pitt, G. Rehm. Appl. Phys. Lett., 73, 523 (1998)
C. Delerue, G. Allan, M. Lannoo. Phys. Rev. B, 48, 11 024 (1993)
С.Д. Ганичев, И.Н. Яссиевич, В. Преттл. ФТТ, 39, 1905 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель