Исследованы вольт-амперные характеристики при T=100 и 300 K, температурная зависимость прямого тока и фототока, влияние магнитного поля на фототок и влияние водорода на фотоэдс и темновой ток. Установлено, что механизм токопереноса как при T=100 K (I propto exp(qV/4kT)), так и при T=300 K (I propto V^m, m=4-5.6) определяется двойной инжекцией в диффузионном приближении. Диодные структуры усиливают фототок при обратном смещении. Установлено, что рост фототока в магнитном поле H (Delta I_ph=alphaexpbeta H) может быть объяснен туннелированием фотоносителей при резонансном рассеянии на примесях с учетом их экспоненциального распределения по энергии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.