"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Внутренние микронапряжения, распределение состава и катодолюминесценции по шлифу эпитаксиальных слоев AlxGa1-xN на сапфире
Усиков А.С.1, Третьяков В.В.1, Бобыль А.В.1, Кютт Р.Н.1, Лундин В.В.1, Пушный Б.В.1, Шмидт Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

Проведено исследование структурных свойств и пространственных неоднородностей слоев AlxGa1-xN, выращенных на сапфировых подложках (0001) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Обнаружено неравномерное распределение Al по толщине эпитаксиальных слоев, полученных при постоянных потоках ростовых компонент. На основе данных рентгенодифракционного анализа и катодолюминесценции предложена модель формирования слоев с композиционным профилем. Установлено, что однородные образцы удается получить путем увеличения потока триметилалюминия на начальной стадии роста слоя относительно всего последующего процесса роста. Показано, что снижение скорости роста позволяет уменьшить напряжения в эпитаксиальном AlxGa1-xN-слое. Обсуждается влияние напряжений на люминесцентные свойства выращенных слоев.
  • F. Omnes, N. Marenco, B. Beaumot, Ph. de Mierry, E. Monroy, F. Calle, E. Munoz. J. Appl. Phys., 86, 5286 (1999)
  • I. Akasaki, H. Amano. Jap. J. Appl. Phys., 36, 5393 (1997)
  • I.L. Krestnikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, A.F. Tsatsulnikov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Phys. St. Sol. (b), 216, 511 (1999)
  • T.J. Kistenmacher, D.K. Wickenden, M.E. Hawley, R.P. Leavitt. Appl. Phys. Lett., 67, 377(1995)
  • A.V. Polyakov, A.V. Govorkov, N.B. Smirnov, M.G. Milvidskii, J.M. Redwig, M. Shin, M. Skowronski, D.W. Greve. Sol. St. Electron., 42, 637 (1998)
  • A.V. Polyakov, M. Shin, J.A. Freitas, M. Skowronski, D.W. Greve, R.G. Wilson. J. Appl. Phys., 80, 6349 (1996)
  • C.G. Van de Walle, C. Stampfl, J. Neugebauer, M.D. McCluskey, N.M. Johnson. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4S1, G10.4 (1999)
  • H. Angerer, D. Brunner, F. Freudenberg, O. Ambacher, M. Stutzman, R. Hopler, T. Metzger, E. Born, G. Dollinger, A. Bergmaier, S. Karsch, H.J. Korner. Appl. Phys. Lett., 71, 1504 (1997)
  • А.С. Зубрилов, Д.В. Цветков, В.И. Николаев, И.П. Никитина. ФТП, 30, 2051 (1996)
  • А.М. Царегородцев, А.Н. Ефимов. Письма ЖТФ, 22, 86 (1996)
  • G. Steude, T. Christmann, B.K. Meyer, A. Goeldner, A. Hoffmann, F. Bertram, J. Christen, H. Amano, I. Akasaki. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4S1, G3.26 (1999)
  • T.G. Mihopoulos, V. Gupta, K.F. Jensen. J. Cryst. Growth., 195, 733 (1998)
  • S. Ruffenach-Clur, O. Briot, B. Gil, R.-L. Aulombard. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 2, article 27 (1997)
  • F. Nukamura, S. Hashimoto, M. Hara, S. Imanaga, M. Ikeda, H. Kawai. J. Cryst. Growth., 195, 280 (1998)
  • J. Christen, T. Hempel, F. Bertram, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, A.V. Sakharov, M.V. Maximov, A.S. Usikov, W.V. Lundin, B.V. Pushnyi, Zh.I. Alferov. Physica E, 2, 557 (1998)
  • D. Kapolnek, X.H. Wu, B. Heying, S. Keller, U.K. Mishra, S.P. den Baars, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett., 67, 1541 (1995)
  • A.V. Bobyl, R.N. Kyutt, V.V. Tretyakov. Semicond. Sci. Technol., 14, 589 (1999)
  • A. Usikov, V.V. Ratnikov, R. Kyutt, W.V. Lundin, B. Pushnyi, N.M. Shmidt, M.P. Scheglov. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 3, 42 (1998)
  • W.V. Lundin, A.S. Usikov, B.V. Pushnyi, U.I. Ushakov, M. Stepanov, N.M. Shmidt, T.V. Shubina, A.V. Sakharov, N.N. Faleev, V.A. Solov'ev, A.A. Sitnikova, Yu. Kudriavtsev, B. Ya. Ber, Yu.M. Zadiranov. Proc. 7-=SUP=-th-=/SUP=- Int. Conf. on Silicon Carbide, III-nitrides and Related Materials-97 (Stockholm, Sweden, 1997) pt. 2, p. 1315
  • K. Hiramatsu, Y. Kawaguchi, M. Shimizu, N. Sawaki, T. Zheleva, R.F. Davis, H. Tsuba, W. Taki, N. Kuwano, K. Oki. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 2, article 6 (1997)
  • I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu, N. Sawaki. J. Cryst. Growth., 98, 209 (1989)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.