Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2000, выпуск 11 » Статья стр. 1316
<<<>>>
Основные принципы послеростового отжига слитка CdTe : Cl для получения полуизолирующих кристаллов
Матвеев О.А.1, Терентьев А.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.
PDF версия
Исследован процесс отжига слитка CdTe : Cl при охлаждении его после выращивания. Отжиг производился в 2 этапа: высокотемпературный этап, когда при термодинамическом равновесии кристалла с паром летучих компонентов устанавливается примерное равенство концентраций хлора и вакансий кадмия, и низкотемпературный этап, когда заряженные дефекты взаимодействуют с образованием нейтральных ассоциатов. Определены необходимые для получения полуизолирующего кристалла концентрации легирования хлором для различных скоростей охлаждения слитка на высокотемпературном этапе. Определена зависимость концентрации примеси [Cl+Te] в слитке от температуры его отжига на высокотемпературном этапе. Получены значения времен жизни и дрейфовых подвижностей носителей заряда в кристалле в зависимости от температуры и от давления паров кадмия при послеростовом отжиге слитка.
  1. L.V. Maslova, O.A. Matveev, S.M. Ryvkin, A.Kh. Khusainov, A.I. Terent'ev. Revue Phys. Appl., 12, 291 (1977)
  2. Е.Н. Аркадьева, Л.В. Маслова, О.А. Матвеев, С.В. Прокофьев, С.М. Рывкин, А.Х. Хусаинов. ДАН СССР, 225, 77 (1975); O.A. Matveev, A.I. Terent'ev. Proc. 11th Workshop on Room Temperature Semiconductor X- and Gamma-ray Detectors and Associated Electronics (Vienna, Austria, 1999) p. 56
  3. R.O. Bell, F.V. Wald, C. Canaly, F. Nava, G. Ottaviani. IEEE Trans. N.S., NS-21, 331 (1974)
  4. R. Triboulet, Iv. Marfaing, A. Cornet, P. Siffert. J. Appl. Phys., 45, 2759 (1974)
  5. О.А. Матвеев, Е.Н. Аркадьева, Л.А. Гончаров. ДАН СССР, 221, 325 (1975)
  6. K. Zanio. Semiconductor and Semimetals (San Francisco--London--N. Y., 1978) v. 13, p. 230
  7. О.А. Матвеев, А.И. Терентьев. ФТП, 27, 1894 (1993)
  8. О.А. Матвеев, А.И. Терентьев. ФТП, 32, 159 (1998)
  9. О.А. Матвеев, А.И. Терентьев. ФТП, 29, 378 (1995)
  10. Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов (М., Мир, 1969)
  11. E.N. Arkadyeva, O.A. Matveev. Rev. Phys. Appl., 12, 239 (1977)
  12. H.H. Woodbury, R.B. Hall. Phys. Rev., 157, 641 (1967)
  13. Физика и химия соединений AIIBVI, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970)
  14. Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев, Е.Н. Мельникова, А.И. Терентьев. ФТП, 14, 1415 (1980)
  15. T.J. Magee, J. Peng, J. Bean. Phys. St. Sol. (a), 27, 557 (1975)
  16. H.H. Woodbury. Proc. Int. Conf. on Defect Characterization: Diffusivity and Electrical Measurment in II--VI Semiconducting Compounds (W.A. Benjamin Inc., N. Y., 1967) p. 244
  17. H.R. Vydyanath, J. Ellsworth, J.J. Kennedy, B. Dean, C.J. Johnson, G.T. Nengebanez, J. Sepich, Pok-Kai Lino. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1476 (1992)
  18. J.H. Greenberg, V.N. Guskov, V.B. Lazarev, O.V. Shekershneva. J. Sol. St. Chem., 102, 382 (1993)
  19. А. Дамаск, Дж. Динс. Точечные дефекты в металлах (М., Мир, 1966) с. 291
  20. М.В. Алексеенко, Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев. ФТП, 4, 414 (1970)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme