Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Концентрационная зависимость радиуса состояния акцепторов в кристаллах p-Hg_0.78Cd_0.22Te

Богобоящий В.В.¹

¹Кременчугский государственный политехнический институт, Кременчуг, Украина

Поступила в редакцию: 4 апреля 2000 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована прыжковая проводимость нелегированных кристаллов p-Hg_0.78Cd_0.22Te, содержащих собственные двухзарядные акцепторы (вакансии Hg) в количестве от 10¹⁶ до 10¹⁸ см^-3. Во всем исследованном диапазоне концентраций при температурах ниже 6-16 K доминирует электропроводность с переменной длиной прыжка. На основе данных измерения ее параметров вычислен радиус состояния акцепторов в зависимости от концентрации вакансий N_A. Показано, что при N_A<4·10¹⁷ см^-3 низкотемпературная проводимость осуществляется по состояниям вакансий, радиус которых не зависит от N_A. При N_A>5·10¹⁷ см^-3 прыжковую проводимость определяют состояния неконтролируемых мелких примесных акцепторов. Радиус состояния этих дефектов растет с ростом N_A вследствие увеличения эффективной диэлектрической проницаемости среды.

Н. Мотт, Е. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
Дж. Займан. Модели беспорядка (М., Мир, 1982)
И.М. Цидильковский, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина. Примесные состояния и явления переноса в бесщелевых полупроводниках (Свердловск, 1987)
А.И. Елизаров, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 15 (5), 927 (1981)
А.И. Елизаров, В.В. Богобоящий, Н.Н. Берченко. ФТП, 18 (3), 455 (1984)
Б.Л. Гельмонт, А.Р. Гаджиев, Б.Л. Шкловский, И.С. Шлимак, А.Л. Эфрос. ФТП, 8 (12), 2377 (1974)
V.V. Bogoboyashchiy. Proc. SPIE, 3486, 325 (1997)
В.В. Богобоящий. В сб.: Проблемы создания новых машин и технологий [Науч. тр. Кременчугского гос. политехн. ин-та (Кременчуг, 1999) вып. 1, с. 269]
В.В. Богобоящий, С.Г. Гасан-заде, Г.А. Шепельский. ФТП, 34 (4), 411 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель