"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние высокотемпературного эпитаксиального процесса роста слоев SiC на структуру пористого карбида кремния
Савкина Н.С.1, Ратников В.В.1, Шуман В.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

Приводятся результаты исследования слоев пористого карбида кремния, полученных электрохимическим травлением 6H-SiC при трех значениях плотностей анодного тока. Структура слоев пористого карбида кремния изучалась методами рентгеновской двухкристальной и трехкристальной дифрактометрии и сканирующей электронной микроскопией до и после высокотемпературного сублимационного роста слоев 6H-SiC. Установлено, что количество пор в структуре не зависит от плотности тока при электрохимическом травлении. Возрастание эффективного диаметра пор с увеличением плотности тока приводит к увеличению пористости структуры. В результате высокотемпературного отжига происходит перестройка структуры без изменения пористости образцов. Перестройка сопровождается слиянием отдельных пор и увеличением их диаметра.
  • T. Matsumoto, J. Takahashi, T. Tamaki, T. Futagi, H. Mimura. Appl. Phys. Lett., 64, 226 (1994)
  • A.O. Konstantinov, A. Henry, C.I. Harris, E. Jansen. Appl. Phys. Lett., 66 (17), 2250 (1995)
  • А.М. Данишевский, В.Б. Шуман, Е.Г. Гук, А.Ю. Рогачев. ФТП, 31 (4), 420 (1997) [Semiconductors, 31 (4), 354 (1997)]
  • A.M. Danishevskii, M.V. Zamoryanskaya, A.A. Sitnikova, V.B. Shuman, A.A. Suvorova. Semicond. Sci. Technol., 3, 1111 (1998)
  • S. Zangooie, H. Arwin. Extended Abstr. of the 2nd International Conference (Madrid, March 12--17, 2000) p. 117
  • M. Mynbaeva, N. Savkina, A. Zubrilov, N. Seredova, M. Scheglov, A. Titkov, A. Tregubova, A. Lebedev, A. Kryzhanovski, I. Kotousova, V. Dmitriev. Mater. Res. Symp. Vol. 587 (C): 2000 Materials Research Society, 08.6.1
  • J.S. Shor, I. Grimberg, B.-Z. Weiss, A.D. Kurtz. Appl. Phys. Lett., 62, 2836 (1993)
  • N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, M.A. Yagovkina. Mater. Sci. Eng. B, 61--62, 165 (1999)
  • В.В. Ратников. ФТТ, 39 (5), 956 (1997)
  • G. Stoney. Proc. R. Soc. London, Ser. A, 82, 172 (1925)
  • G. Rozgonyi, P. Petroff, M. Panish. J. Cryst. Growth, 27, 106 (1974)
  • D. Bellet, G. Dolino, M. Ligeon, P. Blanc, M. Krisch. J. Appl. Phys., 71, 145 (1992)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.