Электропроводность пленок n-InSb в сильных электрических полях
Никольский Ю.А.1, Зюзин С.Е.1
1Борисоглебский государственный педагогический институт, Борисоглебск, Россия
Поступила в редакцию: 10 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.
Рассмотрено влияние сильного электрического поля на электропроводность пленок n-InSb, выращенных на подложках из окисленного кремния. Установлено, что рост электропроводности происходит за счет увеличения концентрации носителей заряда. Произведена оценка энергии активации носителей заряда из данных измерений.
- C.H. Ling, J.H. Fisher, I.C. Anderson. Thin Sol. Films, 14, 267 (1972)
- С.Е. Зюзин, Ю.А. Никольский. Патент N 2148791
- В.А. Касьян, П.И. Кетруш, Ю.А. Никольский, Ф.И. Пасечник. В сб.: Тонкие пленки антимонида индия (Кишинев, Штиинца, 1992) с. 162
- О.Б. Тагиев, Т.Ш. Гашимова, И.М. Аскеров. ФТП, 32 (6), 701 (1998)
- Н.С. Грушко, Л.А. Герасименко, Т.И. Гоглидзе. В сб.: Физика полупроводников и диэлектриков (Кишинев, Штиинца, 1992) с. 83
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук