"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Туннелирование через примесные состояния, связанные с X-долиной в тонком AlAs-барьере
Ханин Ю.Н.1, Новоселов К.С.2, Вдовин Е.Е.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Research Institute for Materials, High Field Magnet Laboratory, University of Nijmegen, ED Nijmegen, The Netherlands
Поступила в редакцию: 3 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

На вольт-амперных характеристиках однобарьерных гетероструктур GaAs/AlAs/GaAs обнаружены особенности, соответствующие резонансному туннелированию электронов из Gamma-долины GaAs в X-долину AlAs. Зарегистрировано туннелирование как через состояния, относящиеся к двумерным подзонам Xxy и Xz в слое AlAs, так и через связанные с ним примесные состояния. Показано, что энергетическое положение таких примесных состояний определяется в основном двумя факторами: а) пространственным ограничением слоя AlAs, влияющим как на энергии уровней размерного квантования подзон Xxy и Xz, так и на величины энергий связи с ними примесных состояний; б) двуосным сжатием слоя AlAs вследствие несовпадения постоянных решеток AlAs и GaAs, приводящим к расщеплению долин Xxy и Xz. Это позволило впрямую определить энергию связи примесных состояний, которая составляет для Xz-долины ~ 50 мэВ, а для Xxy-долины ~ 70 мэВ.
  • H.W. van Kesteren, E.C. Cosman, P. Dawson, K.J. Moore, C.T. Foxon. Phys. Rev. B, 39, 13 426 (1989)
  • E.R. Glaser, T.A. Kennedy, B. Molnar. Phys. Rev. B, 43, 14 540 (1991)
  • R. Teissier, J.J. Finley, M.S. Skolnick, J.W. Cockburn, J.-L. Pelouard, R. Grey, G. Hill, M.A. Pate, R. Planel. Phys. Rev. B, 54, 8329 (1996)
  • J.J. Finley, R.J. Teissier, M.S. Skolnick, J.W. Cockburn, R. Grey, G. Hill, M.A. Pate. Phys. Rev. B, 54, 5251 (1996)
  • Gerald Weber. Appl. Phys. Lett., 67 (10), 1447 (1995)
  • M.W. Delow, P.H. Beton, C.J.M. Langerak, T.J. Foster, P.C. Main, L. Eaves, M. Henini, S.P. Beamont, C.D.W. Wilkinson. Phys. Rev. Lett., 18, 1754 (1992)
  • J.W. Sakai, P.C. Main, P.H. Beton, L. Eaves, M. Henini. Appl. Phys. Lett., 64, 2563 (1994)
  • J.W. Sakai, T.M. Fromhold, P.H. Beton, L. Eaves, M. Henini, P.C. Main, F.W. Sheard, G. Hill. Phys. Rev. B, 48, 5664 (1993)
  • Yu. Khanin, E. Vdovin, K. Novoselov, Yu. Dybrovskii, P. Omling, S.-B. Carlsson. 24th Int. Conf. Phys. Semicond. (Jerusalem, 1998)
  • H. Fukuyama, T. Waho. Japan. J. Appl. Phys., 34, L342 (1995)
  • I.E. Itskevich, L. Eaves, P.C. Main, M. Henini, G. Hill. 23rd Int. Conf. Phys. Semicond. (Berlin, 1996)
  • Y. Carbonneau, J. Beerens, H.C. Liu. Appl. Phys. Lett., 62 (16), 1955 (1993)
  • Ю.В. Дубровский, Ю.Н. Ханин, Т.Г. Андерсон, У. Генсер, Д.К. Мауд, Ж.-К. Портал. ЖЭТФ, 109, 868 (1996)
  • T.G. Anderson, Yu.V. Dubrovskii, I.A. Larkin, S.V. Morozov, Yu.N. Khanin. Phys. Rev. B, 50, 4897 (1994)
  • M. Tsuchiya, H. Sakaki. Japan. J. Appl. Phys., 30, 1164 (1991)
  • I.P. Roche, G.P. Whittington, P.C. Main, L. Eaves, F.W. Sheard, G. Wunner, K.E. Singer. J. Phys.: Condens. Matter, 2, 4439 (1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.