"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Гашение тока светом в диодных структурах p-Si--n+-ZnO--n-ZnO--Pd
Слободчиков С.В.1, Салихов Х.М.1, Руссу Е.В.1, Малинин Ю.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Исследован механизм токопереноса и фотоэлектрические характеристики анизотипной гетероструктуры с контактом Шоттки p-Si--n+-ZnO--n-ZnO--Pd. Выявленная зависимость I propto V3 объяснена двойной инжекцией носителей в дрейфовом приближении. Обнаружено гашение (уменьшение) прямого тока при освещении светом в интервале lambda=0.7-1.2 мкм. Этот эффект объяснен особенностями захвата световых неосновных носителей, дырок, и их рекомбинации с темновыми электронами.
  • С.В. Слободчиков, Х.М. Салихов, Е.В. Руссу. ФТП, 33, 435 (1999)
  • M. Shimizu, T. Horii, T. Shiosaki, A. Kawabata. Thin Sol. Films, 96, 149 (1982)
  • K. Ito. Surf. Sci., 86, 345 (1979)
  • Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ф. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1978) гл. 3, с. 115
  • F. Stockmann. Zs. Phys., 143, 348 (1955)
  • C. Popescu, H.K. Henisch. Phys. Rev., 14 (2), 517 (1976)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.