Исследовались диоды Шоттки на основе эпитаксиальных пленок 6H-SiC. Структуры были подвержены облучению протонами с энергией 1000 МэВ дозой 3·1014 см-2. Воздействие высокоэнергетичных протонов изучалось при помощи прецизионной alpha-спектрометрии. Параметры глубоких уровней, вводимых протонами, измерялись методом нестационарной емкостной спектроскопии. Число вакансий, возникающих в треке протона, определялось по программе TRIM. Ширина области пространственного заряда и диффузионная длина для дырок определялись до и после облучения обработкой результатов по alpha-спектрометрии и емкостных измерений. Установлено незначительное изменение транспортных свойств заряда в детекторах на основе 6H-SiC.
C.H. Carter, Jr., V.F. Tsvetkov, R.C. Glass, D. Henshall, M. Brady, S.G. Muller, O. Kordina, K. Irvine, J.A. Edmond, H.-S. Kong, R. Singh, S.T. Allen, J.W. Palmour. Mater. Sci. Eng. B, 51--62, 1 (1999)
N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, C. Raynaud, J.-P. Chante, M.-L. Locatelli, D. Planson, J. Milan, P. Godignon, F.J. Campos, N. Mestres, J. Pascual, G. Brezeanu, M. Badila. Mater. Sci. \& Eng. B, 77, 50 (2000)
Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, Н.С. Савкина. ФТП, 34, 249 (2000)
G. Lindstrom, M. Moll, E. Fretwurst. Nucl. Instrum. \& Meth., 426, 1 (1999)
А.А. Лебедев, А.И. Вейнгер, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук. ФТП, 34, 897 (2000)
Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский. ФТП, 34, 1443 (2000)
М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, Н.С. Савкина, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 28, 457 (1994)
N.K. Abrossimov, R.P. Deviateriakov, A.G. Kotov, G.F. Mikheev, N.N. Chernov, V.I. Yurchenko. Proc. IIIth all-union conf. on chag. part. accel. (M., 1973) v. 2, p. 94
Ion implanation. Science and Technology, ed. by J.F. Ziegler (Acad. Press. Inc., 1984)