"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Радиационная стойкость SiC-детекторов ионов к воздействию релятивистских протонов
Иванов А.М.1, Строкан Н.Б.1, Давыдов Д.В.1, Савкина Н.С.1, Лебедев А.А.1, Миронов Ю.Т.2, Рябов Г.А.2, Иванов Е.М.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова Российской академии наук, Гатчина, Россия
Поступила в редакцию: 19 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Исследовались диоды Шоттки на основе эпитаксиальных пленок 6H-SiC. Структуры были подвержены облучению протонами с энергией 1000 МэВ дозой 3·1014 см-2. Воздействие высокоэнергетичных протонов изучалось при помощи прецизионной alpha-спектрометрии. Параметры глубоких уровней, вводимых протонами, измерялись методом нестационарной емкостной спектроскопии. Число вакансий, возникающих в треке протона, определялось по программе TRIM. Ширина области пространственного заряда и диффузионная длина для дырок определялись до и после облучения обработкой результатов по alpha-спектрометрии и емкостных измерений. Установлено незначительное изменение транспортных свойств заряда в детекторах на основе 6H-SiC.
  • C.H. Carter, Jr., V.F. Tsvetkov, R.C. Glass, D. Henshall, M. Brady, S.G. Muller, O. Kordina, K. Irvine, J.A. Edmond, H.-S. Kong, R. Singh, S.T. Allen, J.W. Palmour. Mater. Sci. Eng. B, 51--62, 1 (1999)
  • N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, C. Raynaud, J.-P. Chante, M.-L. Locatelli, D. Planson, J. Milan, P. Godignon, F.J. Campos, N. Mestres, J. Pascual, G. Brezeanu, M. Badila. Mater. Sci. \& Eng. B, 77, 50 (2000)
  • Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, Н.С. Савкина. ФТП, 34, 249 (2000)
  • G. Lindstrom, M. Moll, E. Fretwurst. Nucl. Instrum. \& Meth., 426, 1 (1999)
  • А.А. Лебедев, А.И. Вейнгер, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук. ФТП, 34, 897 (2000)
  • Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский. ФТП, 34, 1443 (2000)
  • М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, Н.С. Савкина, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 28, 457 (1994)
  • N.K. Abrossimov, R.P. Deviateriakov, A.G. Kotov, G.F. Mikheev, N.N. Chernov, V.I. Yurchenko. Proc. IIIth all-union conf. on chag. part. accel. (M., 1973) v. 2, p. 94
  • Ion implanation. Science and Technology, ed. by J.F. Ziegler (Acad. Press. Inc., 1984)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.