Представлены экспериментальные результаты исследования фотопроводимости и кинетических процессов в тонких (0.2--0.3 мкм) эпитаксиальных слоях n-PbTe(Ga), полученных методом "горячей стенки" на подложках BaF2 < 111>. Фотоэлектрические свойства образцов были исследованы в температурном диапазоне 4.2--300 K в условиях импульсной (GaAs-светодиод) и непрерывной (миниатюрная лампа накаливания) ифракрасной подсветки. Наиболее важной характерной особенностью исследованных пленок является существенное увеличение температурного диапазона фоточувствительности. При плотности светового потока 105-104 Вт/см2 температура, соответствующая появлению фоточувствительности TC, достигала 150 K, что на 40 и 70 K превышает соответствующие значения для более толстых пленок (2--3 мкм) и высокоомных монокристаллов n-PbTe(Ga). Анализ кинетики фотопроводимости показывает, что в тонких слоях удалось реализовать равномерное по объему фотовозбуждение. Оценена величина рекомбинационного барьера для долговременных релаксационных процессов.
G. Nimtz, B. Schlicht. Narrow Gap Semiconductors, ed. by G. Hohler (Springer Verlag, Berlin, 1983)
B.A. Akimov, A.V. Dmitriev, D.R. Khokhlov, L.I. Ryabova. Phys. St. Sol. (a), 137, 9 (1993)
Lead Chalcogenides: Physics and Applications, ed. by D. Khokhlov (Gordon and Breach, N. Y., 2000)
J. Masek, T.J. Hoshino, C. Maissen, H. Zogg, S. Blunier, J.P. Vermeiren, C.L. Claeys. Proc. SPIE, 1735, 54 (1992)
H. Zogg, A. Fash, C. Maissen, J. Masek, S. Blunier. Opt. Eng., 33, 1440 (1994)
Б.А. Акимов, А.В. Албул, В.Ю. Ильин, М.Ю. Некрасов, Л.И. Рябова. ФТП, 29, 2015 (1995)
Б.А. Акимов, А.В. Албул, Л.И. Рябова. ФТП, 29, 2158 (1995)
А.И. Белогорохов, И.И. Иванчик, С.В. Пономарев, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов. Письма ЖЭТФ, 63, 342 (1996)
А.И. Белогорохов, И.И. Иванчик, З. Попович, Н. Ромчевич, Д.Р. Хохлов. ФТП, 32, 679 (1998)
С.А. Белоконь, Л.Н. Верещагина, И.И. Иванчик, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. ФТП, 26, 264 (1992)
B.A. Akimov, A.M. Gaskov, V.N. Glonty, I.I. Ivanchik, F.N. Putilin. Phys. St. Sol. (a), 142, 85 (1994)
B.A. Akimov, V.A. Bogoyavlenskiy, L.I. Ryabova, V.N. Vasil'kov. Proc. SPIE, 3890, 212 (1999)
B.A. Akimov, V.A. Bogoyavlenskiy, L.I. Ryabova, V.N. Vasil'kov, S.P. Zimin. Semicond. Sci. Technol., 14, 679 (1999)
B.A. Akimov, V.A. Bogoyavlenskiy, L.I. Ryabova, V.N. Vasil'kov. Phys. Rev. B, 61, 16 045 (2000)