"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности фотопроводимости тонких эпитаксиальных слоев n-PbTe(Ga)
Акимов Б.А.1, Богоявленский В.А.1, Рябова Л.И.1, Васильков В.Н.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 сентября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.

Представлены экспериментальные результаты исследования фотопроводимости и кинетических процессов в тонких (0.2--0.3 мкм) эпитаксиальных слоях n-PbTe(Ga), полученных методом "горячей стенки" на подложках BaF2 < 111>. Фотоэлектрические свойства образцов были исследованы в температурном диапазоне 4.2--300 K в условиях импульсной (GaAs-светодиод) и непрерывной (миниатюрная лампа накаливания) ифракрасной подсветки. Наиболее важной характерной особенностью исследованных пленок является существенное увеличение температурного диапазона фоточувствительности. При плотности светового потока 105-104 Вт/см2 температура, соответствующая появлению фоточувствительности TC, достигала 150 K, что на 40 и 70 K превышает соответствующие значения для более толстых пленок (2--3 мкм) и высокоомных монокристаллов n-PbTe(Ga). Анализ кинетики фотопроводимости показывает, что в тонких слоях удалось реализовать равномерное по объему фотовозбуждение. Оценена величина рекомбинационного барьера для долговременных релаксационных процессов.
  • G. Nimtz, B. Schlicht. Narrow Gap Semiconductors, ed. by G. Hohler (Springer Verlag, Berlin, 1983)
  • B.A. Akimov, A.V. Dmitriev, D.R. Khokhlov, L.I. Ryabova. Phys. St. Sol. (a), 137, 9 (1993)
  • Lead Chalcogenides: Physics and Applications, ed. by D. Khokhlov (Gordon and Breach, N. Y., 2000)
  • J. Masek, T.J. Hoshino, C. Maissen, H. Zogg, S. Blunier, J.P. Vermeiren, C.L. Claeys. Proc. SPIE, 1735, 54 (1992)
  • H. Zogg, A. Fash, C. Maissen, J. Masek, S. Blunier. Opt. Eng., 33, 1440 (1994)
  • Б.А. Акимов, А.В. Албул, В.Ю. Ильин, М.Ю. Некрасов, Л.И. Рябова. ФТП, 29, 2015 (1995)
  • Б.А. Акимов, А.В. Албул, Л.И. Рябова. ФТП, 29, 2158 (1995)
  • А.И. Белогорохов, И.И. Иванчик, С.В. Пономарев, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов. Письма ЖЭТФ, 63, 342 (1996)
  • А.И. Белогорохов, И.И. Иванчик, З. Попович, Н. Ромчевич, Д.Р. Хохлов. ФТП, 32, 679 (1998)
  • С.А. Белоконь, Л.Н. Верещагина, И.И. Иванчик, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. ФТП, 26, 264 (1992)
  • B.A. Akimov, A.M. Gaskov, V.N. Glonty, I.I. Ivanchik, F.N. Putilin. Phys. St. Sol. (a), 142, 85 (1994)
  • B.A. Akimov, V.A. Bogoyavlenskiy, L.I. Ryabova, V.N. Vasil'kov. Proc. SPIE, 3890, 212 (1999)
  • B.A. Akimov, V.A. Bogoyavlenskiy, L.I. Ryabova, V.N. Vasil'kov, S.P. Zimin. Semicond. Sci. Technol., 14, 679 (1999)
  • B.A. Akimov, V.A. Bogoyavlenskiy, L.I. Ryabova, V.N. Vasil'kov. Phys. Rev. B, 61, 16 045 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.