Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Тонкая структура краевой ультрафиолетовой люминесценции активированных в плазме азота пленок GaN : Mg и электролюминесцентные гетероструктуры ZnO--GaN : Mg на их основе

Георгобиани А.Н.¹, Грузинцев А.Н.¹, Воробьев М.О.¹, Кайзер У.², Рихтер В.², Ходос И.И.³

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Научно-исследовательский институт твердого тела, Дрезден, Германия
³Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronic Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

Institute of Microelectronic Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

Поступила в редакцию: 10 ноября 2000 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены исследования влияния отжига в плазме азота легированных магнием пленок нитрида галлия на спектры их фотолюминесценции, фотопроводимости и тип проводимости. Обнаружен ряд узких полос свечения с максимумами 3.06, 3.17 и 3.27 эВ в ультрафиолетовой области спектра GaN : Mg после низкотемпературного отжига в плазме азота. Получены электролюминесцентные гетероструктуры ZnO-GaN : Mg с максимумами свечения в ультрафиолетовой экситонной области нитрида галлия - при энергии 3.44 эВ и краевой области нитрида галлия - при энергии 3.26 эВ.

S. Nakamura, S. Nagahama, N. Iwasa, M. Senoh, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto. Appl. Phys. Lett., 68, 2105 (1996)
S. Nakamura, S. Nagahama, N. Iwasa, M. Senoh, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto. Appl. Phys. Lett., 68, 3269 (1996)
S. Nakamura, S. Nagahama, N. Iwasa, M. Senoh, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto. Appl. Phys. Lett., 69, 1477 (1996)
S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, T. Mukai. Japan. J. Appl. Phys., 31, 1258 (1992)
S. Nakamura, M. Senoh, T. Mukai. Japan. J. Appl. Phys., 31, L139 (1992)
У. Кайзер, А.Н. Грузинцев, И.И. Ходос, В. Рихтер. Неорг. матер., 6, 458 (2000)
J.C. Zolper, M. Hagerott, J. Grawtord, A.J. Howard, J. Ramer, S.D. Hersee. Appl. Phys. Lett., 68, 200 (1996)
Н.И. Кацавец, G.M. Laws, I. Harrison, E.C. Larkins, T.M. Benson, T.S. Cheng, C.T. Foxon. ФТП, 32, 1175 (1998)
Y. Li, Y. Lu, H. Shen, M. Wraback, C.Y. Hwang, M. Schurman, W. Mayo. Mater. Res. Symp. Proc., 395, 369 (1996)
Т.В. Бутхузи, А.Н. Георгобиани, Е. Заде-Улы, Б.Т. Эльтазаров, Т.Г. Хулордава. Тр. ФИАН, 182, 140 (1987)
А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев, У.А. Аминов, М.О. Воробьев, И.И. Ходос. ФТП, 35 (2), 149 (2001)
A.N. Georgobiani, A.N. Gruzintsev, A.V. Zayats, I.M. Tiginyanu. Semicond. Sci. Technol., 6, 165 (1991)
M. Ilegems, R. Dingle. J. Appl. Phys., 44, 4234 (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель